规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 100V 4A（Tc） I2PAK
型号：
IRF9510L
仓库库存编号：
IRF9510L-ND
别名：*IRF9510L
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 4A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9510STRL
仓库库存编号：
IRF9510STRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 4A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9510STRR
仓库库存编号：
IRF9510STRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI620GPBF
仓库库存编号：
IRLI620GPBF-ND
别名：*IRLI620GPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 12.8W（Tc） TO-126
型号：
FQE10N20LCTU
仓库库存编号：
FQE10N20LCTU-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
详细描述：通孔 N 沟道 200V 4A（Tc） 12.8W（Tc） TO-126
型号：
FQE10N20CTU
仓库库存编号：
FQE10N20CTU-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 250V 4A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF6N25
仓库库存编号：
FQPF6N25-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 250V 4A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP4P25
仓库库存编号：
FQP4P25-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD4N06LSM9A
仓库库存编号：
RFD4N06LSM9A-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 4A（Tc） 3.13W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB4P25TM
仓库库存编号：
FQB4P25TM-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N50CTF
仓库库存编号：
FQD5N50CTF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） I-Pak
型号：
FQU5N50CTU
仓库库存编号：
FQU5N50CTU-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N50CTM
仓库库存编号：
FQD5N50CTM-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 4A（Tc） 139W（Tc） TO-220 [K]
型号：
APT1003RKLLG
仓库库存编号：
APT1003RKLLG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 4A（Tc） 225W（Tc） TO-220
型号：
APT4F120K
仓库库存编号：
APT4F120K-ND
别名：APT4F120KMI
APT4F120KMI-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
FDD5N50TF_WS
仓库库存编号：
FDD5N50TF_WS-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 80W（Tc） D-Pak
型号：
FQD6N60CTM
仓库库存编号：
FQD6N60CTM-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 530V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 530V 4A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
FDD5N53TM_WS
仓库库存编号：
FDD5N53TM_WS-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N50CTM_F080
仓库库存编号：
FQD5N50CTM_F080-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Tc） 3.1W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7621DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7621DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7621DN-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Tc） 1.5W（Ta），3.1W（Tc） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5853CDC-T1-E3
仓库库存编号：
SI5853CDC-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） TO-220-3
型号：
2SK4198FS
仓库库存编号：
2SK4198FS-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 125W（Tc） TO-251A
型号：
AOI4C60
仓库库存编号：
785-1648-5-ND
别名：785-1648-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-251A
型号：
AOI4T60
仓库库存编号：
AOI4T60-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 38.7W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M004A090FH
仓库库存编号：
GP1M004A090FH-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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