规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(218)
分立半导体产品
(218)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(29)
Central Semiconductor Corp(1)
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/Micross Components(4)
Global Power Technologies Group(12)
Infineon Technologies(18)
IXYS(23)
Kionix Inc.(6)
Microsemi Corporation(1)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(2)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(23)
Rohm Semiconductor(1)
STMicroelectronics(45)
Taiwan Semiconductor Corporation(27)
Vishay BC Components(9)
Vishay Beyschlag(6)
Vishay Electro-Films(3)
Vishay Huntington Electric Inc.(2)
Vishay Sfernice(2)
Vishay Vitramon(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 114W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N60P3
仓库库存编号:
IXFA4N60P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 89W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA4N60P
仓库库存编号:
IXTA4N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP7N60PM
仓库库存编号:
IXTP7N60PM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 195W(Tc) TO-247
型号:
AOK5N100L
仓库库存编号:
785-1425-5-ND
别名:785-1425-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 195W(Tc) TO-247
型号:
AOK5N100
仓库库存编号:
AOK5N100-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 89W(Tc) TO-252
型号:
IXTY4N60P
仓库库存编号:
IXTY4N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP8N50PM
仓库库存编号:
IXTP8N50PM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP4N100P
仓库库存编号:
IXFP4N100P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N100P
仓库库存编号:
IXFA4N100P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 280W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH4N150
仓库库存编号:
IXTH4N150-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH4N100Q
仓库库存编号:
IXFH4N100Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-268
型号:
IXFT4N100Q
仓库库存编号:
IXFT4N100Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750V 4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R2K1CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R2K1CEATMA1-ND
别名:SP001664860
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R2K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R2K0CEAUMA1-ND
别名:SP001466914
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 4A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R2K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R2K0CEAKMA1-ND
别名:SP001605400
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820
仓库库存编号:
497-2733-5-ND
别名:497-2733-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NB80
仓库库存编号:
497-2781-5-ND
别名:497-2781-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4A(Tc) 2W(Tc) 8-SO
型号:
STS4DNFS30L
仓库库存编号:
497-3227-1-ND
别名:497-3227-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220FH
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 4A(Tc) 40W(Tc) TO-220
型号:
STFV4N150
仓库库存编号:
497-5093-5-ND
别名:497-5093-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
STS4NF100
仓库库存编号:
497-8043-1-ND
别名:497-8043-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 950V 4A(Tc) 90W(Tc) TO-220
型号:
STP5N95K3
仓库库存编号:
497-10992-5-ND
别名:497-10992-5
STP5N95K3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9510
仓库库存编号:
IRF9510-ND
别名:*IRF9510
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510S
仓库库存编号:
IRF9510S-ND
别名:*IRF9510S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI620G
仓库库存编号:
IRLI620G-ND
别名:*IRLI620G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc),
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号