规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF5N50UT
仓库库存编号：
FDPF5N50UT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R1K4P7XKSA1-ND
别名：SP001422718
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 24W（Tc） TO-220-3F
型号：
IPA80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R1K4P7XKSA1-ND
别名：SP001422546
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-252
型号：
IXFY4N60P3
仓库库存编号：
IXFY4N60P3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 52W（Tc） DPAK
型号：
FCD1300N80Z
仓库库存编号：
FCD1300N80ZCT-ND
别名：FCD1300N80ZCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） D2PAK
型号：
STB5N80K5
仓库库存编号：
497-16923-1-ND
别名：497-16923-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 114W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP4N60P3
仓库库存编号：
IXFP4N60P3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） D2PAK
型号：
STB6N65M2
仓库库存编号：
497-15047-1-ND
别名：497-15047-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 24W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
型号：
FCPF1300N80ZYD
仓库库存编号：
FCPF1300N80ZYD-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-263
型号：
IXTA4N150HV
仓库库存编号：
IXTA4N150HV-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-268
型号：
IXTT4N150HV
仓库库存编号：
IXTT4N150HV-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTX4N300P3HV
仓库库存编号：
IXTX4N300P3HV-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 4A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 6.2W（Tc） PG-SOT223
型号：
IPN70R1K4P7SATMA1
仓库库存编号：
IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND
别名：IPN70R1K4P7SATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
型号：
IPN80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号：
IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名：IPN80R1K4P7ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N80C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD04N80C3ATMA1CT-ND
别名：SPD04N80C3ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） CPT3
型号：
R6004ENDTL
仓库库存编号：
R6004ENDTLCT-ND
别名：R6004ENDTLCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.3W（Ta），3.1W（Tc） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5853DDC-T1-E3
仓库库存编号：
SI5853DDC-T1-E3CT-ND
别名：SI5853DDC-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 8.35W（Ta） ITO-220AB
型号：
DMG4N65CTI
仓库库存编号：
DMG4N65CTIDI-ND
别名：DMG4N65CTIDI
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.19W（Ta） TO-220-3
型号：
DMG4N65CT
仓库库存编号：
DMG4N65CTDI-ND
别名：DMG4N65CTDI
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA04N80C3
仓库库存编号：
SPA04N80C3IN-ND
别名：SP000216300
SPA04N80C3IN
SPA04N80C3X
SPA04N80C3XK
SPA04N80C3XKSA1
SPA04N80C3XTIN
SPA04N80C3XTIN-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-252
型号：
IXTY4N65X2
仓库库存编号：
IXTY4N65X2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 1.56W（Ta），2.8W（Tc）
型号：
SI1424EDH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1424EDH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1424EDH-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
型号：
SI1441EDH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1441EDH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1441EDH-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM4NB65CP ROG
仓库库存编号：
TSM4NB65CP ROGTR-ND
别名：TSM4NB65CP ROGTR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM4NB65CP ROG
仓库库存编号：
TSM4NB65CP ROGCT-ND
别名：TSM4NB65CP ROGCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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