规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
型号：
R6004ENX
仓库库存编号：
R6004ENX-ND
别名：R6004ENXCT
R6004ENXCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF5N95K3
仓库库存编号：
497-10405-5-ND
别名：497-10405-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
型号：
R6004ENJTL
仓库库存编号：
R6004ENJTLCT-ND
别名：R6004ENJTLCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP04N80C3
仓库库存编号：
SPP04N80C3IN-ND
别名：SP000013706
SP000683152
SPP04N80C3IN
SPP04N80C3X
SPP04N80C3XK
SPP04N80C3XKSA1
SPP04N80C3XTIN
SPP04N80C3XTIN-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 650 V, 1.2 OHM TYP., 4
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 620mW（Ta）, 77W（Tc） TO-220FP
型号：
STFU6N65
仓库库存编号：
497-16968-ND
别名：497-16968
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF4N90K5
仓库库存编号：
497-17071-ND
别名：497-17071
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-220
型号：
IXTP4N65X2
仓库库存编号：
IXTP4N65X2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 80W（Tc） TO-263
型号：
IXTA4N65X2
仓库库存编号：
IXTA4N65X2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） TO-220
型号：
IXTP8N65X2M
仓库库存编号：
IXTP8N65X2M-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 139W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT1003RBLLG
仓库库存编号：
APT1003RBLLG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） ITO-220
型号：
TSM4NB65CI C0G
仓库库存编号：
TSM4NB65CI C0G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 50W（Tc） ITO-220
型号：
TSM4NB60CI C0G
仓库库存编号：
TSM4NB60CI C0G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU6N65M2
仓库库存编号：
497-15044-5-ND
别名：497-15044-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF6N65M2
仓库库存编号：
497-15035-5-ND
别名：497-15035-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） I2PAK
型号：
STB4NK60Z-1
仓库库存编号：
497-12536-5-ND
别名：497-12536-5
STB4NK60Z-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI5N95K3
仓库库存编号：
497-13867-5-ND
别名：497-13867-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） TO-220
型号：
IXTP8N70X2M
仓库库存编号：
IXTP8N70X2M-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 4A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS70R2K0CEAKMA1
仓库库存编号：
IPS70R2K0CEAKMA1-ND
别名：SP001471300
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.7W（Ta），3.1W（Tc） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5913DC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5913DC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5913DC-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
型号：
RCD041N25TL
仓库库存编号：
RCD041N25TLCT-ND
别名：RCD041N25TLCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN4NF06L
仓库库存编号：
497-10315-1-ND
别名：497-10315-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
FDD5N50TM_WS
仓库库存编号：
FDD5N50TM_WSCT-ND
别名：FDD5N50TM_WSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4A
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 47W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF4N90CT
仓库库存编号：
FQPF4N90CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R1K4P7AKMA1-ND
别名：SP001422736
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R1K4P7AKMA1-ND
别名：SP001422742
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Tc）,
无铅
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