规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT58N20
仓库库存编号：
IXFT58N20-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT58M50JU3
仓库库存编号：
APT58M50JU3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 59A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT58M50JCU2
仓库库存编号：
APT58M50JCU2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT58F50J
仓库库存编号：
APT58F50J-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT58M50J
仓库库存编号：
APT58M50J-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 500V 58A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APL502B2G
仓库库存编号：
APL502B2G-ND
别名：APL502B2GMI
APL502B2GMI-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT60M75JLL
仓库库存编号：
APT60M75JLL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 100V 58A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 4.3W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
AUIRFN7110TR
仓库库存编号：
AUIRFN7110TR-ND
别名：SP001517416
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 167W（Tc） D2PAK
型号：
NTB6412ANT4G
仓库库存编号：
NTB6412ANT4GOSCT-ND
别名：NTB6412ANT4GOSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT58MJ50J
仓库库存编号：
APT58MJ50J-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-268（IXFT）
型号：
IXFT58N20Q TRL
仓库库存编号：
IXFT58N20Q TRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM120N10PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM120N10PQ56 RLGTR-ND
别名：TSM120N10PQ56 RLGTR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM120N10PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM120N10PQ56 RLGCT-ND
别名：TSM120N10PQ56 RLGCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 36W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM120N10PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM120N10PQ56 RLGDKR-ND
别名：TSM120N10PQ56 RLGDKR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 58A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI2505
仓库库存编号：
IRLI2505-ND
别名：*IRLI2505
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI126N10N3 G
仓库库存编号：
IPI126N10N3 G-ND
别名：IPI126N10N3G
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 58A（Tc） 55W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU8729-701PBF
仓库库存编号：
IRLU8729-701PBF-ND
别名：IRLU8729PBF
IRLU8729PBF-ND
SP001552984
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 58A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 58A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7514-60E,127
仓库库存编号：
568-9836-5-ND
别名：568-9836-5
934066468127
BUK751460E127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 58A（Tc）,
无铅
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