规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(433)
分立半导体产品
(433)
筛选品牌
Fairchild/Micross Components(16)
Infineon Technologies(143)
IXYS(46)
Nexperia USA Inc.(64)
NXP USA Inc.(33)
ON Semiconductor(17)
STMicroelectronics(75)
Vishay BC Components(24)
Vishay Beyschlag(5)
Vishay Electro-Films(2)
Vishay Semiconductor Opto Division(2)
Vishay Sfernice(5)
Vishay Vitramon(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM120P06-07L_GE3
仓库库存编号：
SQM120P06-07L_GE3CT-ND
别名：SQM120P06-07L_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SUM70040M-GE3
仓库库存编号：
SUM70040M-GE3CT-ND
别名：SUM70040M-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM60030E-GE3
仓库库存编号：
SUM60030E-GE3CT-ND
别名：SUM60030E-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SQM60030E_GE3
仓库库存编号：
SQM60030E_GE3CT-ND
别名：SQM60030E_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 245W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP023N08B_F102
仓库库存编号：
FDP023N08B_F102-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc）
型号：
SQM120N06-3M5L_GE3
仓库库存编号：
SQM120N06-3M5L_GE3CT-ND
别名：SQM120N06-3M5L_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP015N04NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP015N04NGXKSA1-ND
别名：IPP015N04N G
IPP015N04N G-ND
IPP015N04NG
SP000680760
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB200NF03T4
仓库库存编号：
497-6548-1-ND
别名：497-6548-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB150NF55T4
仓库库存编号：
497-7934-1-ND
别名：497-7934-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 231W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB029N06
仓库库存编号：
FDB029N06CT-ND
别名：FDB029N06CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 263W（Tc） I2PAK
型号：
FDI045N10A_F102
仓库库存编号：
FDI045N10A_F102-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 80V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 214W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP039N08B_F102
仓库库存编号：
FDP039N08B_F102-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP030N10N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP030N10N5AKSA1-ND
别名：SP001227032
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 395W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP025N06
仓库库存编号：
FDP025N06-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP020N08N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP020N08N5AKSA1-ND
别名：SP001132480
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
型号：
STB160N75F3
仓库库存编号：
497-7937-1-ND
别名：497-7937-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
型号：
STB200N6F3
仓库库存编号：
497-10025-1-ND
别名：497-10025-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120P04P4L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB120P04P4L03ATMA1CT-ND
别名：IPB120P04P4L03ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 293W（Tc） D2PAK
型号：
BUK963R3-60E,118
仓库库存编号：
1727-1099-1-ND
别名：1727-1099-1
568-10254-1
568-10254-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 349W（Tc） D2PAK
型号：
BUK761R6-40E,118
仓库库存编号：
1727-7133-1-ND
别名：1727-7133-1
568-9565-1
568-9565-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN1R1-40BS,118
仓库库存编号：
1727-7105-1-ND
别名：1727-7105-1
568-9475-1
568-9475-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 401W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN1R5-30BLEJ
仓库库存编号：
1727-1101-1-ND
别名：1727-1101-1
568-10256-1
568-10256-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4310ZTRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4310ZTRLPBFCT-ND
别名：IRFS4310ZTRLPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB015N04N G
仓库库存编号：
IPB015N04N GCT-ND
别名：IPB015N04N GCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB020N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB020N08N5ATMA1CT-ND
别名：IPB020N08N5ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120A（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
