规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 246W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP027N08B_F102
仓库库存编号:
FDP027N08B_F102-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN2R0-60ES,127
仓库库存编号:
1727-5281-ND
别名:1727-5281
568-6709
568-6709-5
568-6709-5-ND
568-6709-ND
934065162127
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) I2PAK
型号:
PSMN5R0-100ES,127
仓库库存编号:
1727-5286-ND
别名:1727-5286
568-6714
568-6714-5
568-6714-5-ND
568-6714-ND
934065165127
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP100NF04
仓库库存编号:
497-7497-5-ND
别名:497-7497-5
STP100NF04-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
STB180N55F3
仓库库存编号:
497-7939-1-ND
别名:497-7939-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
STP130N10F3
仓库库存编号:
497-12984-5-ND
别名:497-12984-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
STP160N75F3
仓库库存编号:
497-7508-5-ND
别名:497-7508-5
STP160N75F3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
STI360N4F6
仓库库存编号:
497-14565-5-ND
别名:497-14565-5
STI360N4F6-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
STI400N4F6
仓库库存编号:
497-14566-5-ND
别名:497-14566-5
STI400N4F6-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STI260N6F6
仓库库存编号:
497-11329-5-ND
别名:497-11329-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
BUK661R6-30C,118
仓库库存编号:
1727-5516-1-ND
别名:1727-5516-1
568-6995-1
568-6995-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL110NS3LLH7
仓库库存编号:
497-16038-1-ND
别名:497-16038-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRFS3207ZTRRPBF
仓库库存编号:
IRFS3207ZTRRPBFCT-ND
别名:IRFS3207ZTRRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) I2PAK
型号:
BUK6E2R0-30C,127
仓库库存编号:
1727-5886-ND
别名:1727-5886
568-7503-5
568-7503-5-ND
934064471127
BUK6E2R0-30C,127-ND
BUK6E2R030C127
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 120A
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 4.8W(Ta), 140W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL120N8F7
仓库库存编号:
497-16116-1-ND
别名:497-16116-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 143W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL40B215
仓库库存编号:
IRL40B215-ND
别名:SP001558684
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 163W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8405
仓库库存编号:
AUIRFS8405-ND
别名:IRAUIRFS8405
IRAUIRFS8405-ND
SP001522864
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 231W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP030N06
仓库库存编号:
FDP030N06-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 96W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL120N4LF6AG
仓库库存编号:
497-16511-1-ND
别名:497-16511-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH170N8F7-2
仓库库存编号:
497-16002-1-ND
别名:497-16002-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220
型号:
FDP032N08B_F102
仓库库存编号:
FDP032N08B_F102-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL120N2VH5
仓库库存编号:
497-12978-1-ND
别名:497-12978-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263
型号:
SQM120N04-1M7L_GE3
仓库库存编号:
SQM120N04-1M7L_GE3CT-ND
别名:SQM120N04-1M7L-GE3-ND
SQM120N04-1M7L-GE3CT-ND
SQM120N04-1M7L_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SUM40010EL-GE3
仓库库存编号:
SUM40010EL-GE3CT-ND
别名:SUM40010EL-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 375W(Tc)
型号:
SQM120P04-04L_GE3
仓库库存编号:
SQM120P04-04L_GE3CT-ND
别名:SQM120P04-04L_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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