规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R360P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R360P7ATMA1CT-ND
别名：IPD60R360P7ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA50R399CPXKSA1
仓库库存编号：
IPA50R399CPXKSA1-ND
别名：IPA50R399CP
IPA50R399CP-ND
SP000234987
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50R399CPXKSA1
仓库库存编号：
IPI50R399CPXKSA1-ND
别名：SP000680738
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R385CP
仓库库存编号：
IPL60R385CPCT-ND
别名：IPL60R385CPCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
STD6N95K5
仓库库存编号：
497-12852-1-ND
别名：497-12852-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC70
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA459EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA459EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA459EDJ-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630SPBF
仓库库存编号：
IRL630SPBF-ND
别名：*IRL630SPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF6N95K5
仓库库存编号：
497-12854-5-ND
别名：497-12854-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB422EDK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB422EDK-T1-GE3CT-ND
别名：SIB422EDK-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 280W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA9N90C_F109
仓库库存编号：
FQA9N90C_F109-ND
别名：FQA9N90CF109
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH9N80
仓库库存编号：
IXFH9N80-ND
别名：Q3837074
Q4932885
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 13W（Tc） ITO-220AB
型号：
DMG9N65CTI
仓库库存编号：
DMG9N65CTIDI-ND
别名：DMG9N65CTIDI
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM180N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM180N03CS RLGTR-ND
别名：TSM180N03CS RLGTR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM180N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM180N03CS RLGCT-ND
别名：TSM180N03CS RLGCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM180N03CS RLG
仓库库存编号：
TSM180N03CS RLGDKR-ND
别名：TSM180N03CS RLGDKR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET PCH 30V 9A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 3W（Ta） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL9P3LLH6
仓库库存编号：
STL9P3LLH6-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD9N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHD9N60E-GE3CT-ND
别名：SIHD9N60E-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD11N65M5
仓库库存编号：
497-12935-1-ND
别名：497-12935-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
型号：
STP12NK30Z
仓库库存编号：
497-7502-5-ND
别名：497-7502-5
STP12NK30Z-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO-274
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-247-3
型号：
STW6N95K5
仓库库存编号：
497-12874-5-ND
别名：497-12874-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 950V 9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
型号：
STU6N95K5
仓库库存编号：
497-13353-ND
别名：497-13353
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 89W（Tc） TO-220
型号：
TSM9N90ECZ C0G
仓库库存编号：
TSM9N90ECZ C0G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 89W（Tc） ITO-220
型号：
TSM9N90ECI C0G
仓库库存编号：
TSM9N90ECI C0G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB488DK-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB488DK-T1-GE3CT-ND
别名：SIB488DK-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? TSC75-6
型号：
SIB437EDKT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIB437EDKT-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Tc）,
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