规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 35A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 110V 35A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP34NQ11T,127
仓库库存编号：
PHP34NQ11T,127-ND
别名：934058503127
PHP34NQ11T
PHP34NQ11T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 136W（Tc） DPAK
型号：
PHD34NQ10T,118
仓库库存编号：
PHD34NQ10T,118-ND
别名：934055807118
PHD34NQ10T /T3
PHD34NQ10T /T3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5-3
型号：
BTS244ZNKSA1
仓库库存编号：
BTS244ZNKSA1-ND
别名：BTS244Z
BTS244Z-ND
BTS244ZNK
SP000012177
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） P-TO220-5
型号：
BTS244Z E3043
仓库库存编号：
BTS244Z E3043-ND
别名：BTS244ZE3043
BTS244ZE3043AKSA1
BTS244ZE3043NK
SP000012178
SP000399006
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5-62
型号：
BTS244Z E3062A
仓库库存编号：
BTS244Z E3062A-ND
别名：BTS244ZE3062AATMA1
BTS244ZE3062ANT
BTS244ZE3062AT
SP000012180
SP000399004
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP26CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPP26CN10NGHKSA1-ND
别名：IPP26CN10N G
IPP26CN10N G-ND
IPP26CN10NGX
IPP26CN10NGXK
SP000096471
SP000680922
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP26CNE8N G
仓库库存编号：
IPP26CNE8N G-ND
别名：IPP26CNE8NGX
IPP26CNE8NGXK
SP000096472
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB35N10 G
仓库库存编号：
SPB35N10 G-ND
别名：SP000102172
SPB35N10GXT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI35N10
仓库库存编号：
SPI35N10-ND
别名：SP000013852
SPI35N10X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR540ZTRRPBF
仓库库存编号：
IRFR540ZTRRPBF-ND
别名：SP001557092
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU540ZPBF
仓库库存编号：
IRFU540ZPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP096N03L G
仓库库存编号：
IPP096N03LGIN-ND
别名：IPP096N03LGIN
IPP096N03LGXK
SP000254737
SP000680854
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS105N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS105N03LGAKMA1-ND
别名：IPS105N03L G
IPS105N03LG
IPS105N03LGIN
IPS105N03LGIN-ND
IPS105N03LGXK
SP000264172
SP000788218
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU105N03L G
仓库库存编号：
IPU105N03LGIN-ND
别名：IPU105N03LGIN
IPU105N03LGXK
SP000271466
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 42W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB096N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB096N03LGATMA1CT-ND
别名：IPB096N03LGINCT
IPB096N03LGINCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB26CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB26CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB26CN10N G
IPB26CN10N G-ND
SP000277692
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-263
型号：
IPB26CNE8N G
仓库库存编号：
IPB26CNE8N G-ND
别名：SP000292948
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25CNE8N G
仓库库存编号：
IPD25CNE8N G-ND
别名：SP000096457
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI26CN10N G
仓库库存编号：
IPI26CN10N G-ND
别名：SP000208932
SP000680726
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI26CNE8N G
仓库库存编号：
IPI26CNE8N G-ND
别名：SP000208935
SP000680728
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
别名：IPD25CN10N GCT
IPD25CN10N GCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）,
无铅
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