规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 35A(Tc) 33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7615CDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7615CDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7615CDN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD35NF3LLT4
仓库库存编号:
497-2475-1-ND
别名:497-2475-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 210W(Tc) TO-247
型号:
STWA45N65M5
仓库库存编号:
497-13596-5-ND
别名:497-13596-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 57W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW45N65M5
仓库库存编号:
497-15539-5-ND
别名:497-15539-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 35A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 102W(Tc) TO-3PF
型号:
R6035KNZC8
仓库库存编号:
R6035KNZC8-ND
别名:R6035KNZC8TR
R6035KNZC8TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 125W(Tc) TO-247
型号:
TPH3205WSBQA
仓库库存编号:
TPH3205WSBQA-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS415DNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS415DNT-T1-GE3CT-ND
别名:SIS415DNT-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 88W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8796
仓库库存编号:
FDD8796CT-ND
别名:FDD8796CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 50W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8782
仓库库存编号:
FDD8782CT-ND
别名:FDD8782CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 5W(Ta),37.9W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7686DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7686DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7686DP-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 115W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8770
仓库库存编号:
FDD8770CT-ND
别名:FDD8770CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 35A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 75W(Tc) Power56
型号:
FDMS5361L_F085
仓库库存编号:
FDMS5361L_F085CT-ND
别名:FDMS5361L_F085CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52.1W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7129DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7129DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7129DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS454DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS454DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS454DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7629DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7629DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7629DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 91W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR540Z
仓库库存编号:
AUIRFR540Z-ND
别名:SP001521742
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN070-200B,118
仓库库存编号:
1727-4775-1-ND
别名:1727-4775-1
568-5953-1
568-5953-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR402DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR402DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR402DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc)
型号:
SI7102DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7102DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7102DN-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 8.3W(Ta),83W(Tc) TO-252
型号:
SUD35N10-26P-E3
仓库库存编号:
SUD35N10-26P-E3CT-ND
别名:SUD35N10-26P-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN070-200P,127
仓库库存编号:
1727-4662-ND
别名:1727-4662
568-5779
568-5779-5
568-5779-5-ND
568-5779-ND
934055718127
PSMN070-200P
PSMN070-200P,127-ND
PSMN070-200P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 357W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP110N65F
仓库库存编号:
FCP110N65F-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 312.5W(Tc) TO-247-3
型号:
FCH35N60
仓库库存编号:
FCH35N60-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 357W(Tc) TO-247 长引线
型号:
FCH110N65F_F155
仓库库存编号:
FCH110N65F_F155-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 357W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB110N65F
仓库库存编号:
FCB110N65FCT-ND
别名:FCB110N65FCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc),
无铅
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