规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 60A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2W（Ta） TO-252-4L
型号：
DMNH6012LK3-13
仓库库存编号：
DMNH6012LK3-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR670DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR670DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR670DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ886EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ886EP-T1_GE3-ND
别名：SQJ886EP-T1-GE3
SQJ886EP-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET W/SC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR798DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR798DP-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA52DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA52DP-T1-RE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD16340Q3T
仓库库存编号：
CSD16340Q3T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7742DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7742DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7742DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7758DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7758DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7758DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR158DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR158DP-T1-RE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR846ADP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR846ADP-T1-RE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ458DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ458DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ458DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR688DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR688DP-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR826DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR826DP-T1-RE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR870ADP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR870ADP-T1-RE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE882DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE882DF-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7194DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7194DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7194DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 2.8W（Ta） TO-220AB
型号：
DMNH10H028SCT
仓库库存编号：
DMNH10H028SCTDI-5-ND
别名：DMNH10H028SCTDI-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE810DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE810DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE810DF-T1-E3TR
SIE810DFT1E3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE812DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE812DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DFT1E3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE810DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE810DF-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE812DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE812DF-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE802DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE802DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE802DF-T1-E3TR
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE802DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE802DF-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM60N20-35_GE3
仓库库存编号：
SQM60N20-35_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE818DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE818DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE818DF-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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