规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP60N25X3M
仓库库存编号：
IXFP60N25X3M-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 320W（Tc） TO-263AA
型号：
IXFA60N25X3
仓库库存编号：
IXFA60N25X3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 320W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ60N25X3
仓库库存编号：
IXFQ60N25X3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH1R712MD,L1Q
仓库库存编号：
TPH1R712MDL1QCT-ND
别名：TPH1R712MDL1QCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 60V 60A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 150W（Tj） Power56
型号：
FDWS5360L_F085
仓库库存编号：
FDWS5360L_F085CT-ND
别名：FDWS5360L_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA057N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA057N08N3GXKSA1-ND
别名：IPA057N08N3 G
IPA057N08N3 G-ND
IPA057N08N3G
SP000454442
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB60NF06LT4
仓库库存编号：
497-6554-1-ND
别名：497-6554-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR440DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR440DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR440DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE874DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE874DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE874DF-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE726DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE726DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE726DF-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
型号：
IXFT60N50P3
仓库库存编号：
IXFT60N50P3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ60N20L2
仓库库存编号：
IXTQ60N20L2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH60N20L2
仓库库存编号：
IXTH60N20L2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 540W（Tc） TO-268
型号：
IXTT60N20L2
仓库库存编号：
IXTT60N20L2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 560W（Tc） MAX247?
型号：
STY60NM50
仓库库存编号：
497-2775-5-ND
别名：497-2775-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7157DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7157DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7157DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
STD60NF55LT4
仓库库存编号：
497-15669-1-ND
别名：497-15669-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR662DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR662DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR662DP-T1-GE3CT
SIR662DPCT
SIR662DPCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR870DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR870DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR870DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR826ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR826ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR826ADP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP60NF06
仓库库存编号：
497-2779-5-ND
别名：497-2779-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
型号：
C2M0040120D
仓库库存编号：
C2M0040120D-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7633DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7633DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7633DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR476DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR476DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR476DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA26DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA26DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIRA26DP-T1-RE3CT
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