规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB60NF10T4
仓库库存编号：
497-7951-1-ND
别名：497-7951-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR846ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR846ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR846ADP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
型号：
STD100NH02LT4
仓库库存编号：
497-4100-1-ND
别名：497-4100-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
库存产品核实请求
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 2.4W（Ta），330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB61N15DPBF
仓库库存编号：
IRFB61N15DPBF-ND
别名：*IRFB61N15DPBF
SP001560242
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR846DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR846DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR846DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR882ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR882ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR882ADP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR804DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR804DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR804DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7658ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7658ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7658ADP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH2R306NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH2R306NHL1QCT-ND
别名：TPH2R306NHL1QCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH4R50ANH,L1Q
仓库库存编号：
TPH4R50ANHL1QCT-ND
别名：TPH4R50ANHL1QCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH4R008NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH4R008NHL1QCT-ND
别名：TPH4R008NHL1QCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM60N02-3M9P-E3
仓库库存编号：
SUM60N02-3M9P-E3CT-ND
别名：SUM60N02-3M9P-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 42W（Tc） LFPAK33
型号：
PSMN6R1-25MLDX
仓库库存编号：
1727-2504-1-ND
别名：1727-2504-1
568-12936-1
568-12936-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK7M9R9-60EX
仓库库存编号：
1727-2566-1-ND
别名：1727-2566-1
568-13010-1
568-13010-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC098N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC098N10NS5ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP60NF06L
仓库库存编号：
497-5895-5-ND
别名：497-5895-5
STP60NF06L-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 176W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP60N10T
仓库库存编号：
IXTP60N10T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 176W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA60N10T
仓库库存编号：
IXTA60N10T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 98W（Tc） TO-220
型号：
TK32E12N1,S1X
仓库库存编号：
TK32E12N1S1X-ND
别名：TK32E12N1,S1X(S
TK32E12N1S1X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 60A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN60N60
仓库库存编号：
IXFN60N60-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 145W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF75332P3
仓库库存编号：
HUF75332P3FS-ND
别名：HUF75332P3-ND
HUF75332P3FS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
STB75NH02LT4
仓库库存编号：
497-3515-1-ND
别名：497-3515-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） 8-SOIC-EP
型号：
STSJ60NH3LL
仓库库存编号：
497-5252-1-ND
别名：497-5252-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
型号：
IPA057N06N3 G
仓库库存编号：
IPA057N06N3 G-ND
别名：IPA057N06N3G
IPA057N06N3GXKSA1
SP000457582
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 320W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP60N25X3
仓库库存编号：
IXFP60N25X3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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