以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA24DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA24DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA24DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS10DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS10DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS10DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA82EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA82EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA82EP-T1_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 36.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJA54DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJA54DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJA54DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 81W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH7R006PL,L1Q
  仓库库存编号：TPH7R006PLL1QCT-ND
  别名：TPH7R006PLL1QCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA72DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA72DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA72DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA58DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA58DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA58DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ407EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ407EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ407EP-T1_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR644DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR644DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR644DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA52DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA52DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA52DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 30V POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAIR? 6x5F
  
  型号：SIZF906DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZF906DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZF906DT-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR642DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR642DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR642DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR640ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR640ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR640ADP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.8W（Ta） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：MCP87055T-U/LC
  仓库库存编号：MCP87055T-U/LCCT-ND
  别名：MCP87055T-U/LCCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.8W（Ta），63W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
  
  型号：CSD17581Q3AT
  仓库库存编号：296-45025-1-ND
  别名：296-45025-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ860EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ860EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ860EP-T1_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL60P4LLF6
  仓库库存编号：497-15480-1-ND
  别名：497-15480-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL60N3LLH5
  仓库库存编号：497-11094-1-ND
  别名：497-11094-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ444EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ444EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ444EP-T1_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ411EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ411EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ411EP-T1_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA80EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA80EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA80EP-T1_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 150W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS5360L_F085
  仓库库存编号：FDMS5360L_F085CT-ND
  别名：FDMS5360L_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ482DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ482DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ482DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR438DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR438DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR438DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP22M2UPS-13
  仓库库存编号：DMP22M2UPS-13DICT-ND
  别名：DMP22M2UPS-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索