规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 60A
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 446W（Tc） TO-247
型号：
STW65N65DM2AG
仓库库存编号：
497-16127-5-ND
别名：497-16127-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB60N80P
仓库库存编号：
IXFB60N80P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK60N50L2
仓库库存编号：
IXTK60N50L2-ND
别名：622124
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），40W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA10DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA10DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA10DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ478DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ478DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR880ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR880ADP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR494DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR494DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR494DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP2002UPS-13
仓库库存编号：
DMP2002UPS-13DICT-ND
别名：DMP2002UPS-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR866DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR866DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR866DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE818DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE818DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE818DF-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 658W（Tc） TO-247
型号：
AOK60N30L
仓库库存编号：
785-1449-5-ND
别名：785-1449-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4332PBF
仓库库存编号：
IRFB4332PBF-ND
别名：SP001556040
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ60N50P3
仓库库存编号：
IXFQ60N50P3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R045CP
仓库库存编号：
IPW60R045CPIN-ND
别名：IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPFKSA1
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR812DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR812DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR812DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE868DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE868DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE868DF-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 431W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT60N60BCSG
仓库库存编号：
APT60N60BCSG-ND
别名：APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX60N50L2
仓库库存编号：
IXTX60N50L2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1E180BNTB
仓库库存编号：
RS1E180BNTBCT-ND
别名：RS1E180BNTBCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR788DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR788DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR788DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE808DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE808DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE808DF-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA72DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA72DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA72DN-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA84DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA84DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA84DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7111EDN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7111EDN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7111EDN-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 60A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN013-80YS,115
仓库库存编号：
1727-4279-1-ND
别名：1727-4279-1
568-4911-1
568-4911-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
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