规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(277)
分立半导体产品
(277)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(2)
Cree/Wolfspeed(1)
Diodes Incorporated(6)
Fairchild/Micross Components(8)
Fairchild/ON Semiconductor(2)
Infineon Technologies(15)
IXYS(39)
Kionix Inc.(1)
Microchip Technology(1)
Microsemi Corporation(5)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(4)
Nexperia USA Inc.(4)
ON Semiconductor(2)
Renesas Electronics America(11)
STMicroelectronics(40)
Texas Instruments(3)
Toshiba Semiconductor and Storage(7)
Vishay BC Components(27)
Vishay Beyschlag(47)
Vishay Electro-Films(22)
Vishay Huntington Electric Inc.(5)
Vishay Semiconductor Diodes Division(4)
Vishay Semiconductor Opto Division(2)
Vishay Sfernice(6)
Vishay Siliconix(10)
Vishay Spectrol(1)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 60A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 60A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD90N02L
仓库库存编号：
497-7978-1-ND
别名：497-7978-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 60A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
型号：
STD70N02L-1
仓库库存编号：
STD70N02L-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 60A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 50V 60A（Tc） 215W（Tc） TO-247
型号：
RFG60P05E
仓库库存编号：
RFG60P05E-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 60A（Tc） 75W（Tc） DPAK
型号：
NTD60N03T4
仓库库存编号：
NTD60N03T4OS-ND
别名：NTD60N03T4OS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 28V 60A（Tc） 75W（Tc） I-Pak
型号：
NTD60N03-001
仓库库存编号：
NTD60N03-001OS-ND
别名：NTD60N03-001OS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF75332S3ST
仓库库存编号：
HUF75332S3ST-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75332S3S
仓库库存编号：
HUFA75332S3S-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75332S3ST
仓库库存编号：
HUFA75332S3ST-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 60A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 55V 60A（Tc） 145W（Tc） TO-247
型号：
HUFA75332G3
仓库库存编号：
HUFA75332G3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC110N10P
仓库库存编号：
IXFC110N10P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE806DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE806DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE806DF-T1-E3CT
SIE806DFT1E3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 60A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM120DA15G
仓库库存编号：
APTM120DA15G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 60A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM120SK15G
仓库库存编号：
APTM120SK15G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
NTB5412NT4G
仓库库存编号：
NTB5412NT4G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5412NG
仓库库存编号：
NTP5412NG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 60A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC60N20
仓库库存编号：
IXFC60N20-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7774DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7774DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7774DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE848DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE848DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE848DF-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE854DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE854DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE854DF-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（M）
型号：
SIE860DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE860DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE860DF-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 60A（Tc） 3W（Ta），93.7W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P04-13L-GE3
仓库库存编号：
SUD50P04-13L-GE3CT-ND
别名：SUD50P04-13L-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE806DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE806DF-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE816DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE816DF-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE816DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE816DF-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE848DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE848DF-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）,
无铅
搜索
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
