规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 125W(Tc) D-Pak
型号:
STD70N10F4
仓库库存编号:
497-8806-1-ND
别名:497-8806-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD16327Q3
仓库库存编号:
296-30138-1-ND
别名:296-30138-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN012-100YS,115
仓库库存编号:
1727-4289-1-ND
别名:1727-4289-1
568-4978-1
568-4978-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
STD60NF06T4
仓库库存编号:
497-6195-1-ND
别名:497-6195-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB60NF06T4
仓库库存编号:
497-7950-1-ND
别名:497-7950-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR158DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR158DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR158DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR404DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR404DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR404DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR870ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR870ADP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7178DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7178DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7178DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7135DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7135DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7135DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7145DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7145DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7145DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7137DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7137DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7137DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7141DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7141DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7141DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7164DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7164DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7164DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR882DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1.6W(Ta),78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPHR9003NL,L1Q
仓库库存编号:
TPHR9003NLL1QCT-ND
别名:TPHR9003NL,L1QCT
TPHR9003NL,L1QCT-ND
TPHR9003NLL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR880DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR880DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR880DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR470DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR470DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR470DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR826DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR826DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR826DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM60N10-17-E3
仓库库存编号:
SUM60N10-17-E3CT-ND
别名:SUM60N10-17-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP65NF06
仓库库存编号:
497-7529-5-ND
别名:497-7529-5
STP65NF06-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7174DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7174DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7174DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7192DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7192DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7192DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 320W(Tc) TO-247-3
型号:
STW75NF30
仓库库存编号:
497-8463-5-ND
别名:497-8463-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH60N50P3
仓库库存编号:
IXFH60N50P3-ND
别名:625876
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc),
无铅
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