规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(214)
分立半导体产品
(214)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(2)
Fairchild/Micross Components(22)
Fairchild/ON Semiconductor(9)
Global Power Technologies Group(8)
Infineon Technologies(35)
IXYS(35)
Kionix Inc.(1)
Microsemi Corporation(2)
Nexperia USA Inc.(1)
NXP USA Inc.(3)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(2)
STMicroelectronics(28)
Transphorm(4)
Vishay BC Components(4)
Vishay Beyschlag(32)
Vishay Electro-Films(9)
Vishay Huntington Electric Inc.(5)
Vishay Semiconductor Diodes Division(2)
Vishay Siliconix(8)
Vishay Thin Film(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
型号：
SI4682DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4682DY-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
型号：
SI4682DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4682DY-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
型号：
SI4684DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4684DY-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
型号：
SI4684DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4684DY-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 16A（Tc） 3.1W（Ta），17.8W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
型号：
SI5479DU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5479DU-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 5W（Ta），41.6W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7196DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7196DP-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7601DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7601DN-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 16A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-microfoot
型号：
SI8416DB-T1-GE3
仓库库存编号：
SI8416DB-T1-GE3CT-ND
别名：SI8416DB-T1-GE3CT
SI8416DBT1GE3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） D3Pak
型号：
APT15F60S
仓库库存编号：
APT15F60S-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） I-Pak
型号：
GP1M016A025PG
仓库库存编号：
GP1M016A025PG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M016A060FH
仓库库存编号：
GP1M016A060FH-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） D-Pak
型号：
GP1M016A025CG
仓库库存编号：
1560-1183-1-ND
别名：1560-1183-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M016A025FG
仓库库存编号：
1560-1184-5-ND
别名：1560-1184-1
1560-1184-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 16A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） TO-220
型号：
GP1M016A025HG
仓库库存编号：
1560-1185-5-ND
别名：1560-1185-1
1560-1185-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M016A060F
仓库库存编号：
1560-1186-5-ND
别名：1560-1186-1
1560-1186-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） TO-220
型号：
GP1M016A060H
仓库库存编号：
1560-1187-5-ND
别名：1560-1187-1
1560-1187-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP1M016A060N
仓库库存编号：
1560-1188-5-ND
别名：1560-1188-1
1560-1188-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3910TRL
仓库库存编号：
IRFR3910TRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20D
仓库库存编号：
IRFS17N20D-ND
别名：*IRFS17N20D
SP001557226
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3910
仓库库存编号：
IRFU3910-ND
别名：*IRFU3910
SP001578418
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB17N20D
仓库库存编号：
IRFB17N20D-ND
别名：*IRFB17N20D
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL17N20D
仓库库存编号：
IRFSL17N20D-ND
别名：*IRFSL17N20D
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3910TRR
仓库库存编号：
IRFR3910TRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DTRL
仓库库存编号：
IRFS17N20DTRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DTRR
仓库库存编号：
IRFS17N20DTRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）,
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
