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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6849U
  仓库库存编号：JAN2N6849U-ND
  别名：JAN2N6849U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 6.5A
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTXV2N6849
  仓库库存编号：JANTXV2N6849-ND
  别名：JANTXV2N6849-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 6.5A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTXV2N6849U
  仓库库存编号：JANTXV2N6849U-ND
  别名：JANTXV2N6849U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）,
• 
  
  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6849
  仓库库存编号：2N6849-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 18-LCC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6849U
  仓库库存编号：2N6849U-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6.5A（Tc） 1.25W（Ta），16.7W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SUD06N10-225L-GE3
  仓库库存编号：SUD06N10-225L-GE3CT-ND
  别名：SUD06N10-225L-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）,
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  无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M007A065HG
  仓库库存编号：GP2M007A065HG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）,
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  无铅
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M007A065CG
  仓库库存编号：1560-1163-2-ND
  别名：1560-1163-2
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Tc）,
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  无铅
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