规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 18A（Tc） 88W（Tc） TO-220-3
型号：
SUP18N15-95-E3
仓库库存编号：
SUP18N15-95-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12067B2LLG
仓库库存编号：
APT12067B2LLG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N7236
仓库库存编号：
JAN2N7236-ND
别名：JAN2N7236-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
型号：
JAN2N7236U
仓库库存编号：
JAN2N7236U-ND
别名：JAN2N7236U-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N7236
仓库库存编号：
JANTX2N7236-ND
别名：JANTX2N7236-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTX2N7236U
仓库库存编号：
JANTX2N7236U-ND
别名：JANTX2N7236U-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N7236
仓库库存编号：
JANTXV2N7236-ND
别名：JANTXV2N7236-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTXV2N7236U
仓库库存编号：
JANTXV2N7236U-ND
别名：JANTXV2N7236U-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-254AA
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7236
仓库库存编号：
2N7236-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V SMD1
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7236U
仓库库存编号：
2N7236U-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） D-Pak
型号：
GP1M018A020CG
仓库库存编号：
GP1M018A020CG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M018A020FG
仓库库存编号：
GP1M018A020FG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
GP2M020A050F
仓库库存编号：
GP2M020A050F-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） TO-220
型号：
GP1M018A020HG
仓库库存编号：
1560-1189-5-ND
别名：1560-1189-1
1560-1189-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 290W（Tc） TO-220
型号：
GP2M020A050H
仓库库存编号：
1560-1213-5-ND
别名：1560-1213-1
1560-1213-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
AO4494H
仓库库存编号：
AO4494H-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
型号：
APT6040BN
仓库库存编号：
APT6040BN-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
型号：
APT6040BNG
仓库库存编号：
APT6040BNG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
64-0007
仓库库存编号：
64-0007-ND
别名：*IRF640N
IRF640N
IRF640N-ND
SP001522470
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5505
仓库库存编号：
IRFR5505-ND
别名：*IRFR5505
SP001573284
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5505
仓库库存编号：
IRFU5505-ND
别名：*IRFU5505
SP001552454
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NS
仓库库存编号：
IRLZ24NS-ND
别名：*IRLZ24NS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR18N15D
仓库库存编号：
IRFR18N15D-ND
别名：*IRFR18N15D
SP001571432
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 150V 18A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU18N15D
仓库库存编号：
IRFU18N15D-ND
别名：*IRFU18N15D
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
型号：
IRF640NL
仓库库存编号：
IRF640NL-ND
别名：*IRF640NL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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