规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(242)
分立半导体产品
(242)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(6)
Diodes Incorporated(3)
Fairchild/Micross Components(9)
Fairchild/ON Semiconductor(2)
Global Power Technologies Group(6)
Infineon Technologies(46)
IXYS(23)
Microsemi Corporation(10)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(9)
Nexperia USA Inc.(6)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(24)
Rohm Semiconductor(1)
Sanken(1)
STMicroelectronics(39)
Taiwan Semiconductor Corporation(10)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Vishay BC Components(21)
Vishay Beyschlag(12)
Vishay Electro-Films(4)
Vishay Huntington Electric Inc.(4)
Vishay Sfernice(4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ18N60P
仓库库存编号:
IXTQ18N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH18N60P
仓库库存编号:
IXFH18N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 320W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP18N60X
仓库库存编号:
IXFP18N60X-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 320W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA18N60X
仓库库存编号:
IXFA18N60X-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 320W(Tc) TO-247
型号:
IXFH18N60X
仓库库存编号:
IXFH18N60X-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXFT18N90P
仓库库存编号:
IXFT18N90P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 18A(Tc) 500W(Tc) D3Pak
型号:
APT17F80S
仓库库存编号:
APT17F80S-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 18A(Tc) 500W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT17F80B
仓库库存编号:
APT17F80B-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 18A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT18N100Q3
仓库库存编号:
IXFT18N100Q3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 18A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR32N100P
仓库库存编号:
IXFR32N100P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 600V 18A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR32P60P
仓库库存编号:
IXTR32P60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 18A(Tc) 350W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR21N100Q
仓库库存编号:
IXFR21N100Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 18A(Tc) 500W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N100Q3
仓库库存编号:
IXFR24N100Q3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 18A(Tc) 357W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL30N120P
仓库库存编号:
IXFL30N120P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRPBFCT-ND
别名:IRFR18N15DTRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5505TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5505TRL-ND
别名:SP001519572
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V AUTO
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLZ24NS
仓库库存编号:
AUIRLZ24NS-ND
别名:SP001518210
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLZ24NSTRL
仓库库存编号:
AUIRLZ24NSTRL-ND
别名:SP001516890
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 18A(Tc) 101W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R125C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R125C7XKSA1-ND
别名:SP001080138
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 18A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R045C7XKSA1-ND
别名:SP001080092
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 18A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB21NM50N
仓库库存编号:
497-5783-1-ND
别名:497-5783-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640
仓库库存编号:
497-2759-5-ND
别名:497-2759-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20N20
仓库库存编号:
497-4373-5-ND
别名:497-4373-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD20N20T4
仓库库存编号:
497-4330-1-ND
别名:497-4330-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF21NM50N
仓库库存编号:
497-4803-5-ND
别名:497-4803-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号