规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7153DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7153DN-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4498
仓库库存编号：
785-1293-1-ND
别名：785-1293-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CH 30-V (D-S) MOSFET W/SCHOTTK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS780DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS780DN-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 51W（Tc） DPAK
型号：
PHD20N06T,118
仓库库存编号：
PHD20N06T,118-ND
别名：934056617118
PHD20N06T /T3
PHD20N06T /T3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.4W PowerDI3333-8
型号：
DMN6069SFGQ-13
仓库库存编号：
DMN6069SFGQ-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.4W PowerDI3333-8
型号：
DMN6069SFGQ-7
仓库库存编号：
DMN6069SFGQ-7-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
PHB18NQ10T,118
仓库库存编号：
PHB18NQ10T,118-ND
别名：934055699118
PHB18NQ10T /T3
PHB18NQ10T /T3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
型号：
FKI10531
仓库库存编号：
FKI10531-ND
别名：FKI10531 DK
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS447DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS447DN-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP18NQ11T,127
仓库库存编号：
1727-4638-ND
别名：1727-4638
568-5755
568-5755-5
568-5755-5-ND
568-5755-ND
934058144127
PHP18NQ11T
PHP18NQ11T,127-ND
PHP18NQ11T-ND
PHP18NQ11T127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQ7414AENW-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ7414AENW-T1_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4116DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4116DY-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7322DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7322DN-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 18A（Tc） 6.8W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4425EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4425EY-T1_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R180P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD60R180P7SAUMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF18N65L
仓库库存编号：
AOTF18N65L-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF18N65
仓库库存编号：
785-1431-5-ND
别名：785-1431-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP18N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP18N60E-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA18N60E-E3
仓库库存编号：
SIHA18N60E-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB18N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB18N60E-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34STRRPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA18P10T
仓库库存编号：
IXTA18P10T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R180P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R180P7SXKSA1-ND
别名：SP001606066
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-252
型号：
IXTY18P10T
仓库库存编号：
IXTY18P10T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 417W（Tc） TO-247
型号：
AOK18N65L
仓库库存编号：
785-1589-5-ND
别名：785-1456-5
785-1456-5-ND
785-1589-5
AOK18N65
AOK18N65L-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
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