规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(242)
分立半导体产品
(242)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(6)
Diodes Incorporated(3)
Fairchild/Micross Components(9)
Fairchild/ON Semiconductor(2)
Global Power Technologies Group(6)
Infineon Technologies(46)
IXYS(23)
Microsemi Corporation(10)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(9)
Nexperia USA Inc.(6)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(24)
Rohm Semiconductor(1)
Sanken(1)
STMicroelectronics(39)
Taiwan Semiconductor Corporation(10)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Vishay BC Components(21)
Vishay Beyschlag(12)
Vishay Electro-Films(4)
Vishay Huntington Electric Inc.(4)
Vishay Sfernice(4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB24N60M2
仓库库存编号：
497-13575-1-ND
别名：497-13575-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP18P10T
仓库库存编号：
IXTP18P10T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP25N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15892-5-ND
别名：497-15892-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ24NPBF
仓库库存编号：
IRLZ24NPBF-ND
别名：*IRLZ24NPBF
SP001553022
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF640NPBF
仓库库存编号：
IRF640NPBF-ND
别名：*IRF640NPBF
SP001570078
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
型号：
IRF640NLPBF
仓库库存编号：
IRF640NLPBF-ND
别名：*IRF640NLPBF
SP001563296
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 223W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP18N50C-E3
仓库库存编号：
SIHP18N50C-E3-ND
别名：SIHP18N50CE3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF25N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15886-5-ND
别名：497-15886-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 540W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH18N90P
仓库库存编号：
IXFH18N90P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STFU24N60M2
仓库库存编号：
497-16110-5-ND
别名：497-16110-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
含铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.168 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STFH24N60M2
仓库库存编号：
497-16596-5-ND
别名：497-16596-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT18M100B
仓库库存编号：
APT18M100B-ND
别名：APT18M100BMI
APT18M100BMI-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT17F120J
仓库库存编号：
APT17F120J-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRF640STRRPBF
仓库库存编号：
IRF640STRRPBFCT-ND
别名：IRF640STRRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 33.8W（Tc） TO-220
型号：
TSM60NB190CZ C0G
仓库库存编号：
TSM60NB190CZ C0G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF18N50D-E3
仓库库存编号：
SIHF18N50D-E3-ND
别名：SIHF18N50DE3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 140W（Tc） I2PAK
型号：
STB21NM50N-1
仓库库存编号：
497-5727-ND
别名：497-5727
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220F-3
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF18N20FT
仓库库存编号：
FDPF18N20FT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF33N10
仓库库存编号：
FQPF33N10-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R180P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R180P7SXKSA1-ND
别名：SP001606072
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP60R180P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R180P7XKSA1-ND
别名：SP001606038
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R180P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R180P7XKSA1-ND
别名：SP001606042
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB18NF30
仓库库存编号：
497-12970-1-ND
别名：497-12970-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12067B2FLLG
仓库库存编号：
APT12067B2FLLG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APL1001J
仓库库存编号：
APL1001J-ND
别名：APL1001JMI
APL1001JMI-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
