规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(370)
分立半导体产品
(370)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(32)
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/Micross Components(30)
Fairchild/ON Semiconductor(7)
Global Power Technologies Group(5)
Infineon Technologies(39)
IXYS(44)
Microsemi Corporation(4)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(16)
Nexperia USA Inc.(3)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(1)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(6)
STMicroelectronics(76)
Taiwan Semiconductor Corporation(4)
Texas Instruments(1)
Vishay BC Components(2)
Vishay Beyschlag(53)
Vishay Electro-Films(21)
Vishay Huntington Electric Inc.(2)
Vishay Semiconductor Diodes Division(3)
Vishay Semiconductor Opto Division(2)
Vishay Sfernice(1)
Vishay Siliconix(10)
Vishay Spectrol(2)
Vishay Sprague(1)
Vishay Thin Film(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 231W(Tc) TO-220
型号:
GP1M012A060H
仓库库存编号:
1560-1180-5-ND
别名:1560-1180-1
1560-1180-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 53.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M012A060F
仓库库存编号:
1560-1210-5-ND
别名:1560-1210-1
1560-1210-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 416W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M012A080NG
仓库库存编号:
1560-1211-5-ND
别名:1560-1211-1
1560-1211-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF12T60
仓库库存编号:
AOTF12T60-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 35W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF12T60L
仓库库存编号:
AOTF12T60L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 28W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF12T60
仓库库存编号:
AOWF12T60-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V TO252-4
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 12A (Tc) Surface Mount TO-252-4L
型号:
AOD607_001
仓库库存编号:
AOD607_001-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V TO252-4
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 12A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252-4L
型号:
AOD607_DELTA
仓库库存编号:
AOD607_DELTA-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI530N
仓库库存编号:
IRFI530N-ND
别名:*IRFI530N
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI530N
仓库库存编号:
IRLI530N-ND
别名:*IRLI530N
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NS
仓库库存编号:
IRF9Z24NS-ND
别名:*IRF9Z24NS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 12A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3215
仓库库存编号:
IRL3215-ND
别名:*IRL3215
SP001558002
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z24NL
仓库库存编号:
IRF9Z24NL-ND
别名:*IRF9Z24NL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRL
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z24NSTRR
仓库库存编号:
IRF9Z24NSTRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 12A TO-3-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 150W(Tc) TO-204AA(TO-3)
型号:
IRF450
仓库库存编号:
IRF450-ND
别名:*IRF450
Q2009037
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 12A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRF9Z24NLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z24NLPBF-ND
别名:*IRF9Z24NLPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB60R250CP
IPB60R250CP-ND
SP000358140
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R250CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R250CPAKSA1-ND
别名:IPI60R250CP
IPI60R250CP-ND
SP000358141
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R250CP
仓库库存编号:
IPW60R250CP-ND
别名:IPW60R250CPFKSA1
SP000310511
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc),
无铅
搜索
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号