规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
型号：
SI5485DU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5485DU-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 2W（Ta），20W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
2SK3793-AZ
仓库库存编号：
2SK3793-AZ-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 12A (Tc) 2.1W Surface Mount TO-252-4L
型号：
AOD607
仓库库存编号：
AOD607-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFet 双
型号：
SI5429DU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5429DU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5429DU-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 12A（Tc） 337W（Tc） D3Pak
型号：
APT11F80S
仓库库存编号：
APT11F80S-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-204AE（TO-3）
型号：
JAN2N6770
仓库库存编号：
JAN2N6770-ND
别名：JAN2N6770-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N6770T1
仓库库存编号：
JAN2N6770T1-ND
别名：JAN2N6770T1-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N7228
仓库库存编号：
JAN2N7228-ND
别名：JAN2N7228-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-267AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JAN2N7228U
仓库库存编号：
JAN2N7228U-ND
别名：JAN2N7228U-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
JANTX2N6770
仓库库存编号：
JANTX2N6770-ND
别名：JANTX2N6770-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N6770T1
仓库库存编号：
JANTX2N6770T1-ND
别名：JANTX2N6770T1-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTX2N7228
仓库库存编号：
JANTX2N7228-ND
别名：JANTX2N7228-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTX2N7228U
仓库库存编号：
JANTX2N7228U-ND
别名：JANTX2N7228U-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-204AE（TO-3）
型号：
JANTXV2N6770
仓库库存编号：
JANTXV2N6770-ND
别名：JANTXV2N6770-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N6770T1
仓库库存编号：
JANTXV2N6770T1-ND
别名：JANTXV2N6770T1-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N7228
仓库库存编号：
JANTXV2N7228-ND
别名：JANTXV2N7228-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTXV2N7228U
仓库库存编号：
JANTXV2N7228U-ND
别名：JANTXV2N7228U-MIL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7228
仓库库存编号：
2N7228-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V SMD1
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7228U
仓库库存编号：
2N7228U-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 12A TO-204AE
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6770
仓库库存编号：
2N6770-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 33W（Tc） TO-252
型号：
IXTY12N06TTRL
仓库库存编号：
IXTY12N06TTRLCT-ND
别名：IXTY12N06TTRLCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1400V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
型号：
IXTT12N140
仓库库存编号：
IXTT12N140-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB12T60PL
仓库库存编号：
785-1700-1-ND
别名：785-1700-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
型号：
GP1M012A060FH
仓库库存编号：
GP1M012A060FH-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 231W（Tc） TO-220
型号：
GP2M012A060H
仓库库存编号：
GP2M012A060H-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
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