规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(370)
分立半导体产品
(370)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(32)
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/Micross Components(30)
Fairchild/ON Semiconductor(7)
Global Power Technologies Group(5)
Infineon Technologies(39)
IXYS(44)
Microsemi Corporation(4)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(16)
Nexperia USA Inc.(3)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(1)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(6)
STMicroelectronics(76)
Taiwan Semiconductor Corporation(4)
Texas Instruments(1)
Vishay BC Components(2)
Vishay Beyschlag(53)
Vishay Electro-Films(21)
Vishay Huntington Electric Inc.(2)
Vishay Semiconductor Diodes Division(3)
Vishay Semiconductor Opto Division(2)
Vishay Sfernice(1)
Vishay Siliconix(10)
Vishay Spectrol(2)
Vishay Sprague(1)
Vishay Thin Film(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD3055SM9A
仓库库存编号：
RFD3055SM9A-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
型号：
HUF76407D3S
仓库库存编号：
HUF76407D3S-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP3055
仓库库存编号：
RFP3055-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 38W（Tc） TO-251AA
型号：
HUF76407D3
仓库库存编号：
HUF76407D3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 38W（Tc） TO-251AA
型号：
HUFA76407D3
仓库库存编号：
HUFA76407D3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
型号：
HUFA76407D3S
仓库库存编号：
HUFA76407D3S-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
型号：
HUFA76407D3ST
仓库库存编号：
HUFA76407D3ST-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 60V 12A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF17P06
仓库库存编号：
FQPF17P06-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
MTP3055V
仓库库存编号：
MTP3055VFS-ND
别名：MTP3055VFS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF12N60CT
仓库库存编号：
FQPF12N60CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF12N60C
仓库库存编号：
FQPF12N60C-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 3.13W（Ta），225W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB12N60CTM
仓库库存编号：
FQB12N60CTM-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 3.13W（Ta），225W（Tc） I2PAK
型号：
FQI12N60CTU
仓库库存编号：
FQI12N60CTU-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 12A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
型号：
FQA12N60
仓库库存编号：
FQA12N60-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263
型号：
IXTI12N50P
仓库库存编号：
IXTI12N50P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 130W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC22N60P
仓库库存编号：
IXFC22N60P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
型号：
APT12F60K
仓库库存编号：
APT12F60K-ND
别名：APT12F60KMI
APT12F60KMI-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 350V 12A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 350V 12A（Tc） 31.3W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF12N35
仓库库存编号：
FDPF12N35-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 12A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT12N100Q
仓库库存编号：
IXFT12N100Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 800V 12A（Tc） 360W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV12N80P
仓库库存编号：
IXFV12N80P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 12A（Tc） 360W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV12N80PS
仓库库存编号：
IXFV12N80PS-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 12A（Tc） 500W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH12N120
仓库库存编号：
IXTH12N120-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
型号：
SI5476DU-T1-E3
仓库库存编号：
SI5476DU-T1-E3CT-ND
别名：SI5476DU-T1-E3CT
SI5476DUT1E3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
型号：
SI5480DU-T1-E3
仓库库存编号：
SI5480DU-T1-E3CT-ND
别名：SI5480DU-T1-E3CT
SI5480DUT1E3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.1W（Ta），17.8W（Tc） PowerPAK? ChipFET 单通道
型号：
SI5481DU-T1-E3
仓库库存编号：
SI5481DU-T1-E3CT-ND
别名：SI5481DU-T1-E3CT
SI5481DUT1E3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）,
无铅
搜索
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
