规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 55A（Tc） 2.5W（Ta），51.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD452
仓库库存编号：
785-1109-1-ND
别名：785-1109-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 55A（Tc） 2.5W（Ta），60W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD472
仓库库存编号：
785-1111-1-ND
别名：785-1111-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 55A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 1.2W（Ta），77W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP55N03SUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP55N03SUG-E1-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 55A（Tc） 1.2W（Ta），77W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP55N055SDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP55N055SDG-E1-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 55A（Tc） 1.2W（Ta），77W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP55N055SUG-E1-AY
仓库库存编号：
NP55N055SUG-E1-AY-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 55A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252
型号：
AOD452AL_008
仓库库存编号：
AOD452AL_008-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET TO-251A
详细描述：通孔 N 沟道 25V 55A（Tc） 3.2W（Ta），50W（Tc） TO-251A
型号：
AOI452A
仓库库存编号：
AOI452A-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3103
仓库库存编号：
IRLR3103-ND
别名：*IRLR3103
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3103
仓库库存编号：
IRLU3103-ND
别名：*IRLU3103
Q832191
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3103TR
仓库库存编号：
IRLR3103TR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRL2910L
仓库库存编号：
IRL2910L-ND
别名：*IRL2910L
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2910STRL
仓库库存编号：
IRL2910STRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3103TRL
仓库库存编号：
IRLR3103TRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3103TRR
仓库库存编号：
IRLR3103TRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44VS
仓库库存编号：
IRFZ44VS-ND
别名：*IRFZ44VS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44VSTRL
仓库库存编号：
IRFZ44VSTRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 55A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44VSTRR
仓库库存编号：
IRFZ44VSTRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3103PBF
仓库库存编号：
IRLU3103PBF-ND
别名：*IRLU3103PBF
SP001578972
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 55A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
PHD55N03LTA,118
仓库库存编号：
PHD55N03LTA,118-ND
别名：934056764118
PHD55N03LTA /T3
PHD55N03LTA /T3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 55A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
型号：
PHB55N03LTA,118
仓库库存编号：
PHB55N03LTA,118-ND
别名：934056665118
PHB55N03LTA /T3
PHB55N03LTA /T3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 55A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25V 55A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP55N03LTA,127
仓库库存编号：
PHP55N03LTA,127-ND
别名：934056666127
PHP55N03LTA
PHP55N03LTA-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 55A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6668TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6668TR1PBFCT-ND
别名：IRF6668TR1PBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 150W（Tc） DPAK
型号：
BUK9213-30A,118
仓库库存编号：
BUK9213-30A,118-ND
别名：934057315118
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 55A（Tc） 150W（Tc） DPAK
型号：
BUK7213-40A,118
仓库库存编号：
BUK7213-40A,118-ND
别名：934058199118
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 55A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6668TR1
仓库库存编号：
IRF6668TR1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）,
含铅
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