规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 115W(Tc) DPAK
型号:
BUK7215-55A,118
仓库库存编号:
1727-7150-1-ND
别名:1727-7150-1
568-9633-1
568-9633-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 95W(Tc) D2PAK
型号:
STB55NF06LT4
仓库库存编号:
497-7462-1-ND
别名:497-7462-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 95W(Tc) TO-220AB
型号:
STP55NF06L
仓库库存编号:
497-6742-5-ND
别名:497-6742-5
STP55NF06L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL2910PBF
仓库库存编号:
IRL2910PBF-ND
别名:*IRL2910PBF
SP001576496
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 625W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX55N50
仓库库存编号:
IXFX55N50-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 54W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM080N03EPQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM080N03EPQ56 RLGTR-ND
别名:TSM080N03EPQ56 RLGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 54W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM080N03EPQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM080N03EPQ56 RLGCT-ND
别名:TSM080N03EPQ56 RLGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 54W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM080N03EPQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM080N03EPQ56 RLGDKR-ND
别名:TSM080N03EPQ56 RLGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 55A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 55A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ423EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ423EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ423EP-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 55A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 1.6W(Ta), 53W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMNH6021SPS-13
仓库库存编号:
DMNH6021SPS-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 102W(Tc) DPAK
型号:
BUK6213-30A,118
仓库库存编号:
BUK6213-30A,118-ND
别名:934058001118
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 75V 55A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 75V 55A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FKI07076
仓库库存编号:
FKI07076-ND
别名:FKI07072
FKI07072-ND
FKI07076 DK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 55A(Tc) 72W(Tc) TO-220
型号:
TK35E08N1,S1X
仓库库存编号:
TK35E08N1S1X-ND
别名:TK35E08N1,S1X(S
TK35E08N1S1X
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) TO-251
型号:
IXTU55N075T
仓库库存编号:
IXTU55N075T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 N 30/20 IN POWERCLIP 56 SING
详细描述:表面贴装 N 沟道 55A(Tc) 156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
FDMS8050
仓库库存编号:
FDMS8050-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 55A(Tc) 625W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL82N60P
仓库库存编号:
IXFL82N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 55A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL55N50
仓库库存编号:
IXFL55N50-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 55A(Tc) 625W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL80N50Q2
仓库库存编号:
IXFL80N50Q2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 55A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD55N4F5
仓库库存编号:
497-10706-1-ND
别名:497-10706-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 55A(Tc) 133W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP55N06
仓库库存编号:
FQP55N06-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 55A(Tc) 3.75W(Ta),133W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB55N06TM
仓库库存编号:
FQB55N06TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN
详细描述:通孔 P 沟道 60V 55A(Tc) 214W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA47P06
仓库库存编号:
FQA47P06-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 55A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT60M80JVR
仓库库存编号:
APT60M80JVR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 55A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP55N075T
仓库库存编号:
IXTP55N075T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 55A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 55A(Tc) 130W(Tc) TO-252
型号:
IXTY55N075T
仓库库存编号:
IXTY55N075T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 55A(Tc),
无铅
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