规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 140A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 140A(Tc) 298W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH140P05T
仓库库存编号:
IXTH140P05T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXFT140N10P
仓库库存编号:
IXFT140N10P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 140A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX140N25T
仓库库存编号:
IXFX140N25T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 140A(Tc) 800W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK140N20P
仓库库存编号:
IXTK140N20P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 140A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 140A(Tc) 568W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH140P10T
仓库库存编号:
IXTH140P10T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 140A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 140A(Tc) 568W(Tc) TO-268
型号:
IXTT140P10T
仓库库存编号:
IXTT140P10T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 140A(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK140N30P
仓库库存编号:
IXTK140N30P-ND
别名:Q4597844
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 140A(Tc) 161W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB140N08S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB140N08S404ATMA1-ND
别名:SP000989102
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 140A(Tc) 330W(Tc) TO-220
型号:
AUIRF3305
仓库库存编号:
AUIRF3305-ND
别名:SP001517888
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 140A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 140A(Tc) 375W(Tc) TO-247
型号:
FQH140N10
仓库库存编号:
FQH140N10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4
详细描述:通孔 N 沟道 75V 140A(Tc) 200W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF250N075T
仓库库存编号:
IXTF250N075T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3803
仓库库存编号:
IRL3803-ND
别名:*IRL3803
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803S
仓库库存编号:
IRL3803S-ND
别名:*IRL3803S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803STRL
仓库库存编号:
IRL3803STRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
94-4764
仓库库存编号:
94-4764-ND
别名:*IRL3803L
IRL3803L
IRL3803L-ND
SP001519020
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3803STRR
仓库库存编号:
IRL3803STRR-ND
别名:SP001550338
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7833
仓库库存编号:
IRLU7833-ND
别名:*IRLU7833
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TR
仓库库存编号:
IRLR7833TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TRL
仓库库存编号:
IRLR7833TRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TRR
仓库库存编号:
IRLR7833TRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL3803LPBF
仓库库存编号:
IRL3803LPBF-ND
别名:*IRL3803LPBF
SP001568484
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7833PBF
仓库库存编号:
IRLU7833PBF-ND
别名:SP001553270
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7833-701PBF
仓库库存编号:
IRLU7833-701PBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 140A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB023N06N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB023N06N3GATMA1CT-ND
别名:IPB023N06N3 GCT
IPB023N06N3 GCT-ND
IPB023N06N3G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 140A(Tc),
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