规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ402EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ402EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ402EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 3.75W（Ta），79W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB30N06LTM
仓库库存编号：
FQB30N06LTMCT-ND
别名：FQB30N06LTMCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 32A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN017-30PL,127
仓库库存编号：
1727-7130-ND
别名：1727-7130
568-9506-5
568-9506-5-ND
934066818127
PSMN01730PL127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP30N06L
仓库库存编号：
FQP30N06L-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ469EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ469EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ469EP-T1-GE3CT
SQJ469EP-T1-GE3CT-ND
SQJ469EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
STP40N65M2
仓库库存编号：
497-15561-5-ND
别名：497-15561-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 32A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW40N65M2
仓库库存编号：
497-15576-5-ND
别名：497-15576-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 86W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN034-100BS,118
仓库库存编号：
1727-7211-1-ND
别名：1727-7211-1
568-9702-1
568-9702-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 1.6W（Ta），61W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH8R80ANH,L1Q
仓库库存编号：
TPH8R80ANHL1QCT-ND
别名：TPH8R80ANHL1QCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） I2PAK
型号：
STI40N65M2
仓库库存编号：
497-15552-5-ND
别名：497-15552-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF40N65M2
仓库库存编号：
497-15536-5-ND
别名：497-15536-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP32N50KPBF
仓库库存编号：
IRFP32N50KPBF-ND
别名：*IRFP32N50KPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 32A（Tc） 77W（Tc） DPAK
型号：
BUK9237-55A,118
仓库库存编号：
1727-7183-1-ND
别名：1727-7183-1
568-9669-1
568-9669-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 32A SO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 80V 32A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ479EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ479EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ479EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN017-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7128-1-ND
别名：1727-7128-1
568-9504-1
568-9504-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 32A（Tc） 47W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN017-30EL,127
仓库库存编号：
1727-7129-ND
别名：1727-7129
568-9505-5
568-9505-5-ND
934066819127
PSMN01730EL127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ412EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ412EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1-GE3CT-ND
SQJ412EP-T1_GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 32A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN034-100PS,127
仓库库存编号：
1727-4660-ND
别名：1727-4660
568-5777
568-5777-5
568-5777-5-ND
568-5777-ND
934064325127
PSMN034-100PS,127-ND
PSMN034100PS127
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 32A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF35N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHF35N60E-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP35N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP35N60E-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB35N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB35N60E-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG35N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHG35N60E-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 4.8W（Ta）, 55W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL8N6LF6AG
仓库库存编号：
497-16505-1-ND
别名：497-16505-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
NTD6414ANT4G
仓库库存编号：
NTD6414ANT4GOSCT-ND
别名：NTD6414ANT4GOSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 50W（Tc） DPAK
型号：
STD30N10F7
仓库库存编号：
497-14531-1-ND
别名：497-14531-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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