规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR32N50Q
仓库库存编号：
IXFR32N50Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK30N50Q
仓库库存编号：
IXFK30N50Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 1040W（Tc） TO-264
型号：
APT29F100L
仓库库存编号：
APT29F100L-ND
别名：APT29F100LMI
APT29F100LMI-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1100V 30A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX30N110P
仓库库存编号：
IXFX30N110P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1100V 30A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK30N110P
仓库库存编号：
IXFK30N110P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK30N100Q2
仓库库存编号：
IXFK30N100Q2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 735W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX30N100Q2
仓库库存编号：
IXFX30N100Q2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL34N100
仓库库存编号：
IXFL34N100-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB30N120P
仓库库存编号：
IXFB30N120P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE34N100
仓库库存编号：
IXFE34N100-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 694W（Tc） 24-SMPD
型号：
MMIX1F44N100Q3
仓库库存编号：
MMIX1F44N100Q3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFB30N120Q2
仓库库存编号：
IXFB30N120Q2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN30N120P
仓库库存编号：
IXFN30N120P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 800W（Tc） PLUS264?
型号：
IXTB30N100L
仓库库存编号：
IXTB30N100L-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 690AW（Tc） ISOTOP?
型号：
APT12031JFLL
仓库库存编号：
APT12031JFLL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N06S223ATMA2
仓库库存编号：
IPD30N06S223ATMA2-ND
别名：SP001061722
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 120W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU3915PBF
仓库库存编号：
IRLU3915PBF-ND
别名：*IRLU3915PBF
SP001578942
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N08S222ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N08S222ATMA1TR-ND
别名：IPD30N08S2-22
IPD30N08S2-22-ND
SP000252169
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2-15
仓库库存编号：
IPD30N06S2-15CT-ND
别名：IPD30N06S2-15CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3
型号：
STW26NM60
仓库库存编号：
497-3265-5-ND
别名：497-3265-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 312W（Tc） TO-247-3
型号：
STW30NM60D
仓库库存编号：
497-4426-5-ND
别名：497-4426-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
型号：
STD30NE06L
仓库库存编号：
STD30NE06L-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
型号：
STD30NE06LT4
仓库库存编号：
STD30NE06LT4-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP30N20
仓库库存编号：
497-5129-5-ND
别名：497-5129-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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