规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
型号：
FKI06190
仓库库存编号：
FKI06190-ND
别名：FKI06190 DK
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MV7 N CHANNEL POWER TRENCH MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tj） 8-PQFN（5x6）
型号：
FDMS86581_F085
仓库库存编号：
FDMS86581_F085-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 68.2W（Tj） Power56
型号：
FDMS9411_F085
仓库库存编号：
FDMS9411_F085CT-ND
别名：FDMS9411_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJ910AEP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ910AEP-T1_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
型号：
UPA2812T1L-E2-AT
仓库库存编号：
UPA2812T1L-E2-AT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 1.5W（Ta）, 52W（Tc） 8-HVSON（3x3.3）
型号：
UPA2812T1L-E1-AT
仓库库存编号：
UPA2812T1L-E1-AT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 7W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4483EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4483EY-T1_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ403EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ403EP-T1_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD30N05-20L_GE3
仓库库存编号：
SQD30N05-20L_GE3-ND
别名：SQD30N05-20L-GE3
SQD30N05-20L-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 30A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7159DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7159DP-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 46W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ840EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ840EP-T1_GE3-ND
别名：SQJ840EP-T1-GE3
SQJ840EP-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4626ADY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4626ADY-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4626ADY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4626ADY-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRLZ34SPBF
仓库库存编号：
IRLZ34SPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34STRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ34STRLPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7738DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7738DP-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD40N06-25L-GE3
仓库库存编号：
SQD40N06-25L-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ44G
仓库库存编号：
IRLIZ44G-ND
别名：*IRLIZ44G
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG32N50D-E3
仓库库存编号：
SIHG32N50D-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-220
型号：
IXFP30N60X
仓库库存编号：
IXFP30N60X-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-263
型号：
IXFA30N60X
仓库库存编号：
IXFA30N60X-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N50P
仓库库存编号：
IXTH30N50P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-247
型号：
IXFH30N60X
仓库库存编号：
IXFH30N60X-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ30N50P
仓库库存编号：
IXTQ30N50P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50P
仓库库存编号：
IXFT30N50P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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