规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M24-40EX
仓库库存编号：
1727-2576-1-ND
别名：1727-2576-1
568-13020-1
568-13020-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 94.9W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN038-100YLX
仓库库存编号：
1727-1815-1-ND
别名：1727-1815-1
568-11429-1
568-11429-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK7M27-80EX
仓库库存编号：
1727-2561-1-ND
别名：1727-2561-1
568-13005-1
568-13005-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N03S2L20ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
别名：IPD30N03S2L20ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名：IPD220N06L3GBTMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N06S4L23ATMA2
仓库库存编号：
IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
别名：IPD30N06S4L23ATMA2CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD26N06S2L35ATMA2
仓库库存编号：
IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND
别名：IPD26N06S2L35ATMA2CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 95W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y38-100EX
仓库库存编号：
1727-1111-1-ND
别名：1727-1111-1
568-10266-1
568-10266-1-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名：IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3915TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3915TRPBFCT-ND
别名：IRLR3915TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R125C6
仓库库存编号：
IPB60R125C6CT-ND
别名：IPB60R125C6CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
型号：
BUZ11_NR4941
仓库库存编号：
BUZ11_NR4941-ND
别名：BUZ11NR4941
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 25W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK30A06N1,S4X
仓库库存编号：
TK30A06N1S4X-ND
别名：TK30A06N1,S4X(S
TK30A06N1,S4X-ND
TK30A06N1S4X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 214W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP250NPBF
仓库库存编号：
IRFP250NPBF-ND
别名：*IRFP250NPBF
SP001554946
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ44GPBF
仓库库存编号：
IRFIZ44GPBF-ND
别名：*IRFIZ44GPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50P
仓库库存编号：
IXFH30N50P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N60P
仓库库存编号：
IXTH30N60P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR48P20P
仓库库存编号：
IXTR48P20P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N50L2
仓库库存编号：
IXTH30N50L2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT29F100B2
仓库库存编号：
APT29F100B2-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX300N20
仓库库存编号：
RCX300N20-ND
别名：RCX300N20CT
RCX300N20CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R125P6XKSA1
仓库库存编号：
IPW60R125P6XKSA1-ND
别名：SP001114656
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT30N60BC6
仓库库存编号：
APT30N60BC6-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP36NF06
仓库库存编号：
497-3186-5-ND
别名：497-3186-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 30A POWER MOSFET, TO220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-220FM
型号：
R6030KNX
仓库库存编号：
R6030KNX-ND
别名：R6030KNXTR
R6030KNXTR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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