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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD26N06S2L35ATMA1
仓库库存编号：
IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND
别名：IPD26N06S2L-35
IPD26N06S2L-35-ND
SP000252165
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L-07-ND
SP000254463
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S223ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N06S223ATMA1TR-ND
别名：IPD30N06S2-23
IPD30N06S2-23-ND
SP000252166
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP230N06L3 G
仓库库存编号：
IPP230N06L3 G-ND
别名：IPP230N06L3G
IPP230N06L3GXKSA1
SP000453648
SP000680886
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L10GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L10GBTMA1TR-ND
别名：SP000443918
SPD30N03S2L-10 G
SPD30N03S2L-10 G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S4L23ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N06S4L23ATMA1TR-ND
别名：IPD30N06S4L-23
IPD30N06S4L-23-ND
SP000374320
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L07GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L07GBTMA1TR-ND
别名：SP000443922
SPD30N03S2L-07 G
SPD30N03S2L-07 G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3504TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3504TRPBFCT-ND
别名：IRFR3504TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3505TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3505TRPBFCT-ND
别名：IRFR3505TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB230N06L3GATMA1
仓库库存编号：
IPB230N06L3GATMA1CT-ND
别名：IPB230N06L3 GCT
IPB230N06L3 GCT-ND
IPB230N06L3G
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L20GBTMA1
仓库库存编号：
SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
别名：SPD30N03S2L-20 GCT
SPD30N03S2L-20 GCT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 110W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR2405
仓库库存编号：
AUIRFR2405-ND
别名：SP001522238
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 30A（Tc） 120W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLR2908
仓库库存编号：
AUIRLR2908-ND
别名：SP001518234
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 120W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLR3915
仓库库存编号：
AUIRLR3915-ND
别名：SP001516276
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2L-13
仓库库存编号：
IPD30N06S2L-13CT-ND
别名：IPD30N06S2L-13CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
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IPD30N06S2L23ATMA1
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别名：IPD30N06S2L-23CT
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