规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP11N03LA
仓库库存编号:
IPP11N03LA-ND
别名:IPP11N03LAX
SP000014986
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP13N03LB G
仓库库存编号:
IPP13N03LB G-ND
别名:IPP13N03LBGX
SP000064224
SP000680872
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS10N03LA G
仓库库存编号:
IPS10N03LA G-ND
别名:IPS10N03LAGX
SP000015132
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS13N03LA G
仓库库存编号:
IPS13N03LA G-ND
别名:IPS13N03LAGX
SP000015133
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU10N03LA
仓库库存编号:
IPU10N03LA-ND
别名:SP000014984
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU10N03LA G
仓库库存编号:
IPU10N03LA G-ND
别名:IPU10N03LAGX
SP000017597
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU20N03L G
仓库库存编号:
IPU20N03L G-ND
别名:IPU20N03LGX
IPU20N03LGXK
SP000018246
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 68W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD26N06S2L-35
仓库库存编号:
SPD26N06S2L-35-ND
别名:SP000013570
SPD26N06S2L35T
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2-15
仓库库存编号:
SPD30N06S2-15-ND
别名:SP000012477
SPD30N06S215T
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2-23
仓库库存编号:
SPD30N06S2-23-ND
别名:SP000013596
SPD30N06S223T
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-13
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-13-ND
别名:SP000012478
SPD30N06S2L13T
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-23
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-23-ND
别名:SP000013127
SPD30N06S2L23T
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N08S2-22
仓库库存编号:
SPD30N08S2-22-ND
别名:SP000013153
SPD30N08S222T
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 30A(Tc) 136W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N08S2L-21
仓库库存编号:
SPD30N08S2L-21-ND
别名:SP000013152
SPD30N08S2L21T
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 125W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2-08
仓库库存编号:
SPU30N03S2-08-ND
别名:SP000014129
SPU30N03S208X
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU30P06P
仓库库存编号:
SPU30P06PIN-ND
别名:SP000012844
SPU30P06P-ND
SPU30P06PIN
SPU30P06PX
SPU30P06PXK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO263-3
型号:
IPB13N03LB G
仓库库存编号:
IPB13N03LBGINCT-ND
别名:IPB13N03LBG
IPB13N03LBGINCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12N03LB G
仓库库存编号:
IPD12N03LBGINCT-ND
别名:IPD12N03LBG
IPD12N03LBGINCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03LGXT
仓库库存编号:
IPD135N03LGXTCT-ND
别名:IPD135N03LGINCT
IPD135N03LGINCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP114N03L G
仓库库存编号:
IPP114N03LGIN-ND
别名:IPP114N03LGIN
IPP114N03LGXK
SP000264168
SP000680862
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS135N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS135N03LGAKMA1-ND
别名:IPS135N03L G
IPS135N03LGIN
IPS135N03LGIN-ND
IPS135N03LGXK
SP000257455
SP000788220
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU135N03L G
仓库库存编号:
IPU135N03LGIN-ND
别名:IPU135N03LGIN
IPU135N03LGXK
SP000260752
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB114N03L G
仓库库存编号:
IPB114N03L G-ND
别名:SP000304102
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD160N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD160N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD160N04L G
IPD160N04L G-ND
SP000387933
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD170N04NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD170N04NGBTMA1TR-ND
别名:IPD170N04N G
IPD170N04N G-ND
SP000388297
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