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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 30A（Tc） 1.5W（Ta），56W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK3481-AZ
  仓库库存编号：2SK3481-AZ-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 219W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT30N60KC6
  仓库库存编号：APT30N60KC6-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 68W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD5413NT4G
  仓库库存编号：NVD5413NT4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT28F60S
  仓库库存编号：APT28F60S-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JAN2N6766
  仓库库存编号：JAN2N6766-ND
  别名：JAN2N6766-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6766T1
  仓库库存编号：JAN2N6766T1-ND
  别名：JAN2N6766T1-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTX2N6766
  仓库库存编号：JANTX2N6766-ND
  别名：JANTX2N6766-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTX2N6766T1
  仓库库存编号：JANTX2N6766T1-ND
  别名：JANTX2N6766T1-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：JANTXV2N6766
  仓库库存编号：JANTXV2N6766-ND
  别名：JANTXV2N6766-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JANTXV2N6766T1
  仓库库存编号：JANTXV2N6766T1-ND
  别名：JANTXV2N6766T1-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
  
  型号：2N6766
  仓库库存编号：2N6766-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：2N6766T1
  仓库库存编号：2N6766T1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 24A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 38W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6266_101
  仓库库存编号：AON6266_101-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ34NS
  仓库库存编号：IRLZ34NS-ND
  别名：*IRLZ34NS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ34NSTRR
  仓库库存编号：IRLZ34NSTRR-ND
  别名：Q971401
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRLZ34NL
  仓库库存编号：IRLZ34NL-ND
  别名：*IRLZ34NL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 82W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU30N03S2L-10
  仓库库存编号：SPU30N03S2L-10IN-ND
  别名：SP000013467
  SPU30N03S2L-10IN
  SPU30N03S2L-10XTIN
  SPU30N03S2L-10XTIN-ND
  SPU30N03S2L10X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 83W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU07N03LA
  仓库库存编号：IPU07N03LAIN-ND
  别名：IPU07N03LAIN
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU13N03LA G
  仓库库存编号：IPU13N03LAGIN-ND
  别名：IPU13N03LA
  IPU13N03LAGIN
  IPU13N03LAGX
  IPU13N03LAGXTIN
  IPU13N03LAGXTIN-ND
  IPU13N03LAIN
  IPU13N03LAIN-ND
  SP000017538
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP14N03LA
  仓库库存编号：IPP14N03LAIN-ND
  别名：IPP14N03LAIN
  IPP14N03LAX
  IPP14N03LAXTIN
  IPP14N03LAXTIN-ND
  SP000014028
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB14N03LA
  仓库库存编号：IPB14N03LAINTR-ND
  别名：IPB14N03LAINTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD13N03LA G
  仓库库存编号：IPD13N03LAGINCT-ND
  别名：IPD13N03LAG
  IPD13N03LAGINCT
  IPD13N03LAGXTINCT
  IPD13N03LAGXTINCT-ND
  IPD13N03LAINCT
  IPD13N03LAINCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L-07
  仓库库存编号：SPD30N03S2L07INCT-ND
  别名：SPD30N03S2L07
  SPD30N03S2L07INCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L-10
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10INCT-ND
  别名：SPD30N03S2L10
  SPD30N03S2L10INCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L-20
  仓库库存编号：SPD30N03S2L20INTR-ND
  别名：SP000013488
  SPD30N03S2L20INTR
  SPD30N03S2L20XT
  SPD30N03S2L20XT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
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