规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(366)
分立半导体产品
(366)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(1)
Cree/Wolfspeed(1)
Diodes Incorporated(2)
Fairchild/Micross Components(13)
Fairchild/ON Semiconductor(3)
Infineon Technologies(112)
IXYS(67)
Microsemi Corporation(14)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(5)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(1)
Panasonic - DTG(1)
Renesas Electronics America(5)
Rohm Semiconductor(10)
Sanken(1)
STMicroelectronics(34)
Taiwan Semiconductor Corporation(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Vishay Beyschlag(38)
Vishay Electro-Films(11)
Vishay Huntington Electric Inc.(8)
Vishay Semiconductor Diodes Division(3)
Vishay Semiconductor Opto Division(2)
Vishay Siliconix(11)
Vishay Spectrol(1)
Vishay Vitramon(6)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50V 30A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ30PBF
仓库库存编号：
IRFZ30PBF-ND
别名：*IRFZ30PBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 88W（Tc） TO-220-5
型号：
IRCZ34PBF
仓库库存编号：
IRCZ34PBF-ND
别名：*IRCZ34PBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50V 30A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
型号：
BUZ11_R4941
仓库库存编号：
BUZ11_R4941-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.75W（Ta），79W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB30N06TM
仓库库存编号：
FQB30N06TM-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 30A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 30V 30A（Tc） 75W（Tc） TO-220
型号：
NDP6030PL
仓库库存编号：
NDP6030PL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV30N50P
仓库库存编号：
IXTV30N50P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV30N50PS
仓库库存编号：
IXTV30N50PS-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV30N60P
仓库库存编号：
IXTV30N60P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV30N60PS
仓库库存编号：
IXTV30N60PS-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV30N50P
仓库库存编号：
IXFV30N50P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV30N50PS
仓库库存编号：
IXFV30N50PS-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 500W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV30N60P
仓库库存编号：
IXFV30N60P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 500W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV30N60PS
仓库库存编号：
IXFV30N60PS-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT28F60B
仓库库存编号：
APT28F60B-ND
别名：APT28F60BMI
APT28F60BMI-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 400V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 400V 30A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N40Q
仓库库存编号：
IXFH30N40Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 30A（Tc） 5W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7136DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7136DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7136DP-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7138DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7138DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7138DP-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
MTB30P06VT4G
仓库库存编号：
MTB30P06VT4GOSCT-ND
别名：MTB30P06VT4GOSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4170DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4170DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4170DY-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP250
仓库库存编号：
IRFP250-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 30A（Tc） 5W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7136DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7136DP-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7138DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7138DP-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 5W（Ta），27.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7392ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7392ADP-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 5W（Ta），27.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7392ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7392ADP-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD35N05-26L-GE3
仓库库存编号：
SQD35N05-26L-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 30A（Tc）,
无铅
搜索
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
