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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK48N50
  仓库库存编号：IXFK48N50-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK48N50Q
  仓库库存编号：IXFK48N50Q-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 400W（Tc） ISO264?
  
  型号：IXFG55N50
  仓库库存编号：IXFG55N50-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR55N50
  仓库库存编号：IXFR55N50-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 48A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN48N50Q
  仓库库存编号：IXFN48N50Q-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 48A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE48NM50
  仓库库存编号：497-3170-5-ND
  别名：497-3170-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 48A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 48A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD60N3LH5
  仓库库存编号：497-7971-1-ND
  别名：497-7971-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 48A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU70N2LH5
  仓库库存编号：STU70N2LH5-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 25V 48A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 48A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD70N2LH5
  仓库库存编号：497-10094-1-ND
  别名：497-10094-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 48A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60N3LH5
  仓库库存编号：497-10713-5-ND
  别名：497-10713-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 48A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB6060
  仓库库存编号：NDB6060TR-ND
  别名：NDB6060TR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 48A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 48A（Tc） 69W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRL3202L
  仓库库存编号：IRL3202L-ND
  别名：*IRL3202L
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 650V 48A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE48NM60
  仓库库存编号：497-3171-5-ND
  别名：497-3171-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 48A（Tc） 625W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH50N50
  仓库库存编号：FDH50N50-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA44N10
  仓库库存编号：FQA44N10-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH44N10
  仓库库存编号：FQH44N10-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 48A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA48N20
  仓库库存编号：FQA48N20-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 48A（Tc） 370W（Tc） D3 [S]
  
  型号：APT30M70SVRG
  仓库库存编号：APT30M70SVRG-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 48A（Tc） 47.3W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8878
  仓库库存编号：FDB8878-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 48A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK48N55
  仓库库存编号：IXFK48N55-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 48A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN48N50U2
  仓库库存编号：IXFN48N50U2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 48A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN48N50U3
  仓库库存编号：IXFN48N50U3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 48A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN48N55
  仓库库存编号：IXFN48N55-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 48A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 48A（Tc） 1.8W（Ta），85W（Tc） TO-263
  
  型号：NP48N055KLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP48N055KLE-E1-AY-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 48A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44E
  仓库库存编号：IRFZ44E-ND
  别名：*IRFZ44E
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）,
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