规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP55NF06
仓库库存编号：
497-2777-5-ND
别名：497-2777-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 94W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18537NKCS
仓库库存编号：
296-36456-5-ND
别名：296-36456-5
CSD18537NKCS-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ44RPBF
仓库库存编号：
IRFZ44RPBF-ND
别名：*IRFZ44RPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ44PBF
仓库库存编号：
IRLZ44PBF-ND
别名：*IRLZ44PBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40NF10
仓库库存编号：
497-3188-5-ND
别名：497-3188-5
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP260NPBF
仓库库存编号：
IRFP260NPBF-ND
别名：*IRFP260NPBF
64-6005PBF
64-6005PBF-ND
SP001552016
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP055N03LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP055N03LGXKSA1-ND
别名：IPP055N03L G
IPP055N03LGIN
IPP055N03LGIN-ND
IPP055N03LGXK
SP000680806
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ40PBF
仓库库存编号：
IRFZ40PBF-ND
别名：*IRFZ40PBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP260MPBF
仓库库存编号：
IRFP260MPBF-ND
别名：SP001572874
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 250W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA46N15
仓库库存编号：
FQA46N15FS-ND
别名：FQA46N15-ND
FQA46N15FS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ50N60P3
仓库库存编号：
IXFQ50N60P3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN64N60P
仓库库存编号：
IXFN64N60P-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 570W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR80N50Q3
仓库库存编号：
IXFR80N50Q3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP093N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP093N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP093N06N3 G
IPP093N06N3 G-ND
IPP093N06N3G
SP000680852
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 36W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK8R2A06PL,S4X
仓库库存编号：
TK8R2A06PLS4X-ND
别名：TK8R2A06PL,S4X(S
TK8R2A06PLS4X
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A TO263
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50P03-07_GE3
仓库库存编号：
SQM50P03-07_GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44SPBF
仓库库存编号：
IRFZ44SPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP70090E-GE3
仓库库存编号：
SUP70090E-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 890W（Tc） TO-247
型号：
IXFH50N85X
仓库库存编号：
IXFH50N85X-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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IXYS
850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 890W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N85XHV
仓库库存编号：
IXFT50N85XHV-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 75W（Tj） Power56
型号：
FDMS86580_F085
仓库库存编号：
FDMS86580_F085CT-ND
别名：FDMS86580_F085CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
库存产品核实请求
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 80V 50A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.6W（Ta） TO-252-4L
型号：
DMTH8012LK3Q-13
仓库库存编号：
DMTH8012LK3Q-13DICT-ND
别名：DMTH8012LK3Q-13DICT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） I2PAK
型号：
FQI50N06TU
仓库库存编号：
FQI50N06TU-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 69W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7149DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7149DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7149DP-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB55NF06T4
仓库库存编号：
497-6553-1-ND
别名：497-6553-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Tc）,
无铅
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