规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24S
仓库库存编号：
IRLZ24S-ND
别名：*IRLZ24S
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24STRL
仓库库存编号：
IRLZ24STRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24STRR
仓库库存编号：
IRLZ24STRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 340W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB17N60K
仓库库存编号：
IRFB17N60K-ND
别名：*IRFB17N60K
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 17A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB16N50K
仓库库存编号：
IRFB16N50K-ND
别名：*IRFB16N50K
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220-5
型号：
IRCZ24PBF
仓库库存编号：
IRCZ24PBF-ND
别名：*IRCZ24PBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 17A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB16N50KPBF
仓库库存编号：
IRFB16N50KPBF-ND
别名：*IRFB16N50KPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 340W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB17N60KPBF
仓库库存编号：
IRFB17N60KPBF-ND
别名：*IRFB17N60KPBF
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK
详细描述：通孔 P 沟道 60V 17A（Tc） 3.75W（Ta），79W（Tc） I2PAK
型号：
FQI17P06TU
仓库库存编号：
FQI17P06TU-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 17A（Tc） 3.75W（Ta），79W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB17P06TM
仓库库存编号：
FQB17P06TM-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 208W（Tc） TO-247-3
型号：
APT17N80BC3G
仓库库存编号：
APT17N80BC3G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 17A（Tc） 208W（Tc） D3Pak
型号：
APT17N80SC3G
仓库库存编号：
APT17N80SC3G-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 17A TO-268(D3)
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 17A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXFT17N80Q
仓库库存编号：
IXFT17N80Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 450V 17A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 450V 17A（Tc） TO-220F
型号：
FDPF17N45T
仓库库存编号：
FDPF17N45T-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
IRFS540A
仓库库存编号：
IRFS540A-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 17A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 100V 17A（Tc） 132W（Tc） TO-220-3
型号：
SFP9540
仓库库存编号：
SFP9540-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 71W（Tc） I-Pak
型号：
NTD6416AN-1G
仓库库存编号：
NTD6416AN-1GOS-ND
别名：NTD6416AN-1G-ND
NTD6416AN-1GOS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Tc） 2.5W（Ta），4.4W（Tc） 8-SO
型号：
SI4636DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4636DY-T1-E3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 17A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD17N25-165-E3
仓库库存编号：
SUD17N25-165-E3CT-ND
别名：SUD17N25-165-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 17A（Tc） 460W（Tc） SOT-227
型号：
APT12067JLL
仓库库存编号：
APT12067JLL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
94-2310
仓库库存编号：
94-2310-ND
别名：*IRL530NS
IRL530NS
IRL530NS-ND
SP001519078
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），70W（Tc） D2PAK
型号：
IRF530NS
仓库库存编号：
IRF530NS-ND
别名：*IRF530NS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） TO-262
型号：
IRL530NL
仓库库存编号：
IRL530NL-ND
别名：*IRL530NL
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRL
仓库库存编号：
IRL530NSTRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRR
仓库库存编号：
IRL530NSTRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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