规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI540GPBF
仓库库存编号：
IRLI540GPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRFZ24STRRPBF
仓库库存编号：
IRFZ24STRRPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24STRLPBF
仓库库存编号：
IRFZ24STRLPBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V/20V NCH POWER TRENCH M
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS10C4D2N
仓库库存编号：
FDMS10C4D2N-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），4.4W（Tc） 8-SO
型号：
SI4636DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4636DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4636DY-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP17N60D-E3
仓库库存编号：
SIHP17N60D-E3-ND
别名：SIHP17N60DE3
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP17N60D-GE3
仓库库存编号：
SIHP17N60D-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRL640STRRPBF
仓库库存编号：
IRL640STRRPBF-ND
别名：Q4322190B
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG17N60D-E3
仓库库存编号：
SIHG17N60D-E3-ND
别名：SIHG17N60D-E3CT
SIHG17N60D-E3CT-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 277.8W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG17N60D-GE3
仓库库存编号：
SIHG17N60D-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI540G
仓库库存编号：
IRLI540G-ND
别名：*IRLI540G
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN80R280P7XKSA1
仓库库存编号：
IPAN80R280P7XKSA1-ND
别名：SP001632934
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 17A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB18N50K
仓库库存编号：
IRFB18N50K-ND
别名：*IRFB18N50K
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 17A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
型号：
APT17F100S
仓库库存编号：
APT17F100S-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH17N80Q
仓库库存编号：
IXFH17N80Q-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX17N120L
仓库库存编号：
IXTX17N120L-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 17A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK17N120L
仓库库存编号：
IXTK17N120L-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD14N06S280ATMA2
仓库库存编号：
IPD14N06S280ATMA2-ND
别名：SP001063642
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR024NTRL
仓库库存编号：
AUIRLR024NTRL-ND
别名：SP001517694
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NS
仓库库存编号：
AUIRFZ24NS-ND
别名：SP001517468
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 17A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB17N25S3100ATMA1
仓库库存编号：
IPB17N25S3100ATMA1-ND
别名：SP000876560
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFZ24NSTRL
仓库库存编号：
AUIRFZ24NSTRL-ND
别名：SP001522352
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R199CPATMA1
仓库库存编号：
IPB50R199CPATMA1TR-ND
别名：IPB50R199CP
IPB50R199CP-ND
SP000236092
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R199CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R199CPHKSA1-ND
别名：SP000236074
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 17A（Tc） 103W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R125C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R125C7AUMA1-ND
别名：SP001385066
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 17A（Tc）,
无铅
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