规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7A(Tc) 40W(Tc) ITO-220
型号:
TSM7N65ACI C0G
仓库库存编号:
TSM7N65ACI C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73
仓库库存编号:
BUZ73IN-ND
别名:BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73E3046XK
仓库库存编号:
BUZ73E3046XK-ND
别名:BUZ73 E3046
BUZ73 E3046-ND
BUZ73E3046X
SP000011963
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73L
仓库库存编号:
BUZ73LIN-ND
别名:BUZ73L-ND
BUZ73LIN
BUZ73LX
BUZ73LXK
SP000011374
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N20
仓库库存编号:
SPD07N20INCT-ND
别名:SPD07N20INCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73HXKSA1
仓库库存编号:
BUZ73HXKSA1-ND
别名:BUZ73 H
BUZ73 H-ND
BUZ73H
SP000683000
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73H3046XKSA1
仓库库存编号:
BUZ73H3046XKSA1-ND
别名:BUZ73 H3046
BUZ73 H3046-ND
BUZ73H3046
SP000683002
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73LHXKSA1
仓库库存编号:
BUZ73LHXKSA1-ND
别名:BUZ73L H
BUZ73L H-ND
SP000683014
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N20GBTMA1
仓库库存编号:
SPD07N20GBTMA1CT-ND
别名:SPD07N20 GCT
SPD07N20 GCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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