规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF7N60E-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP6N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHP6N65E-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 104W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB7S65L
仓库库存编号:
785-1538-2-ND
别名:AOB7S65L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF7N60
仓库库存编号:
FCPF7N60-ND
别名:FCPF7N60_NL
FCPF7N60_NL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V ITO-220A
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 41W(Tc) ITO-220AB
型号:
DMN80H2D0SCTI
仓库库存编号:
DMN80H2D0SCTI-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 68W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H900HJ3
仓库库存编号:
DMJ70H900HJ3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA7N80C_F109
仓库库存编号:
FQA7N80C_F109-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP7N60P
仓库库存编号:
IXTP7N60P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R750P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R750P7AKMA1-ND
别名:SP001644620
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R750P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R750P7AKMA1-ND
别名:SP001644628
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP7N60P3
仓库库存编号:
IXFP7N60P3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 27W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R750P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R750P7XKSA1-ND
别名:SP001644602
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 51W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R750P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R750P7XKSA1-ND
别名:SP001644608
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 75W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXTP14N60PM
仓库库存编号:
IXTP14N60PM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA7N80P
仓库库存编号:
IXFA7N80P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP7N80P
仓库库存编号:
IXFP7N80P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP7N100P
仓库库存编号:
IXFP7N100P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA7N100P
仓库库存编号:
IXFA7N100P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT7F100B
仓库库存编号:
APT7F100B-ND
别名:APT7F100BMI
APT7F100BMI-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH7N90Q
仓库库存编号:
IXFH7N90Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 7A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXFT7N90Q
仓库库存编号:
IXFT7N90Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 82W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R650CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R650CEBTMA1-ND
别名:SP001369530
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEAUMA1-ND
别名:SP001396908
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 63W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R660E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R660E6AUMA1-ND
别名:SP000895212
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 63W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R650CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R650CEATMA1CT
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