规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 40A(Tc) 3.75W(Ta),107W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40N10-30-E3
仓库库存编号:
SUP40N10-30-E3-ND
别名:SUP40N10-30-E3CT
SUP40N10-30-E3CT-ND
SUP40N1030E3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 40A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP40N10PDF-E1-AY
仓库库存编号:
NP40N10PDF-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 1W(Ta),120W(Tc) 8-HSON
型号:
NP40N10YDF-E1-AY
仓库库存编号:
NP40N10YDF-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 40A(Tc) 570W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS40N60K
仓库库存编号:
IRFPS40N60K-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 40A(Tc) 690W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8018JN
仓库库存编号:
APT8018JN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 40A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 40A(Tc) 62.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4185L_003
仓库库存编号:
AOD4185L_003-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 300V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFJ40N30Q
仓库库存编号:
IXFJ40N30Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT40N30Q TR
仓库库存编号:
IXFT40N30Q TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRR
仓库库存编号:
IRF5210STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF5210L
仓库库存编号:
IRF5210L-ND
别名:*IRF5210L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 75V 40A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI2807
仓库库存编号:
IRFI2807-ND
别名:*IRFI2807
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 40A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7528-55,127
仓库库存编号:
BUK7528-55,127-ND
别名:934050370127
BUK7528-55
BUK7528-55-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 107W(Tc) D2PAK
型号:
PHB78NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHB78NQ03LT,118-ND
别名:934056889118
PHB78NQ03LT /T3
PHB78NQ03LT /T3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 65W(Tc) DPAK
型号:
PHD45N03LTA,118
仓库库存编号:
PHD45N03LTA,118-ND
别名:934056763118
PHD45N03LTA /T3
PHD45N03LTA /T3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 42A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 40A(Tc) 99W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9528-55A,127
仓库库存编号:
BUK9528-55A,127-ND
别名:934056256127
BUK9528-55A
BUK9528-55A-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 40A(Tc) 65W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP45N03LTA,127
仓库库存编号:
PHP45N03LTA,127-ND
别名:934056739127
PHP45N03LTA
PHP45N03LTA-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS090N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS090N03LGAKMA1-ND
别名:IPS090N03L G
IPS090N03LGIN
IPS090N03LGIN-ND
IPS090N03LGXK
SP000788216
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU090N03L G
仓库库存编号:
IPU090N03LGIN-ND
别名:IPU090N03LGIN
IPU090N03LGXK
SP000260751
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD105N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD105N04L G
IPD105N04L G-ND
SP000354796
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 2.7W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM4231TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM4231TRPBFCT-ND
别名:IRFHM4231TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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