规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM40N10-30_GE3
仓库库存编号:
SQM40N10-30_GE3-ND
别名:SQM40N10-30-GE3
SQM40N10-30-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4632DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4632DY-T1-E3TR-ND
别名:SI4632DY-T1-E3TR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4632DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4632DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM40P10-40L_GE3
仓库库存编号:
SQM40P10-40L_GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 40A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 166W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM40N15-38_GE3
仓库库存编号:
SQM40N15-38_GE3-ND
别名:SQM40N15-38-GE3
SQM40N15-38-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-T4-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-T4-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 40A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 357W(Tc) TO-247
型号:
AOK40N30L
仓库库存编号:
785-1447-5-ND
别名:785-1447-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7880ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7880ADP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7866ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7866ADP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7868ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7868ADP-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD40N10-25_GE3
仓库库存编号:
SQD40N10-25_GE3-ND
别名:SQD40N10-25-GE3
SQD40N10-25-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M85BVRG
仓库库存编号:
APT30M85BVRG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 40A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT40N30Q
仓库库存编号:
IXFT40N30Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 40A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ40N50Q
仓库库存编号:
IXTQ40N50Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 500V 40A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH40N50Q
仓库库存编号:
IXFH40N50Q-ND
别名:Q1794352
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 40A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH40N50L2
仓库库存编号:
IXTH40N50L2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 40A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXFT40N50Q
仓库库存编号:
IXFT40N50Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 40A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR48N50Q
仓库库存编号:
IXFR48N50Q-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 40A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX40N90P
仓库库存编号:
IXFX40N90P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 40A(Tc) 625W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL60N80P
仓库库存编号:
IXFL60N80P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 900V 40A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK40N90P
仓库库存编号:
IXFK40N90P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT40N60JCU3
仓库库存编号:
APT40N60JCU3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 40A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FA40SA50LC
仓库库存编号:
VS-FA40SA50LC-ND
别名:VSFA40SA50LC
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN40N60C
仓库库存编号:
IXKN40N60C-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 40A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB40N110P
仓库库存编号:
IXFB40N110P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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