规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(220)
分立半导体产品
(220)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(9)
Diodes Incorporated(4)
Fairchild/Micross Components(9)
Fairchild/ON Semiconductor(2)
Infineon Technologies(26)
IXYS(27)
Kionix Inc.(2)
Microsemi Corporation(5)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(1)
NXP USA Inc.(11)
ON Semiconductor(1)
Renesas Electronics America(2)
Rohm Semiconductor(1)
Sanken(2)
STMicroelectronics(35)
Toshiba Semiconductor and Storage(4)
Vishay BC Components(1)
Vishay Beyschlag(44)
Vishay Electro-Films(14)
Vishay Huntington Electric Inc.(4)
Vishay Semiconductor Diodes Division(5)
Vishay Semiconductor Opto Division(2)
Vishay Siliconix(7)
Vishay Spectrol(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR466DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR466DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR466DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD50N03L
仓库库存编号:
497-7970-1-ND
别名:497-7970-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR166DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR166DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR166DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 125W(Tc) D-Pak
型号:
STD45NF75T4
仓库库存编号:
497-4334-1-ND
别名:497-4334-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.35W(Ta),50W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RSJ400N10TL
仓库库存编号:
RSJ400N10TLCT-ND
别名:RSJ400N10TLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB40N110Q3
仓库库存编号:
IXFB40N110Q3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ075N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ075N08NS5ATMA1CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 700mW(Ta),34W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN4R303NL,L1Q
仓库库存编号:
TPN4R303NLL1QCT-ND
别名:TPN4R303NLL1QCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 40A 1212
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS862DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS862DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS862DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS476DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS476DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS476DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4630DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4630DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4630DY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF40NF20
仓库库存编号:
497-5805-5-ND
别名:497-5805-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 270W(Tc) HiP247?
型号:
SCT30N120
仓库库存编号:
497-14960-ND
别名:497-14960
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP6030BL
仓库库存编号:
FDP6030BL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-E3CT-ND
别名:SUD40N10-25-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.3W(Ta),31.25W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA34DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA34DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA34DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 71W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK40A06N1,S4X
仓库库存编号:
TK40A06N1S4X-ND
别名:TK40A06N1,S4X(S
TK40A06N1,S4X-ND
TK40A06N1S4X
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR460DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR460DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR460DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR436DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR436DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR436DP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4630DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4630DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4630DY-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7634BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7634BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7634BDP-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ40N50L2
仓库库存编号:
IXTQ40N50L2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT40N60JCU2
仓库库存编号:
APT40N60JCU2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 20.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA34DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA34DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA34DN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号