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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） DPAK
  
  型号：TK40P03M1(T6RDS-Q)
  仓库库存编号：TK40P03M1(T6RDS-Q)-ND
  别名：TK40P03M1T6RDSQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Ta） 93W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK40S10K3Z(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK40S10K3Z(T6L1NQ-ND
  别名：TK40S10K3Z(T6L1NQ
  TK40S10K3ZT6L1NQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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  无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0454DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0454DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0454DPB-00#J5CT
  RJK0454DPB00J5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） SMP-FD
  
  型号：2SK3816-DL-E
  仓库库存编号：2SK3816-DL-E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） SMP-FD
  
  型号：2SK3821-DL-E
  仓库库存编号：2SK3821-DL-E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A SMP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 40A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） SMP
  
  型号：2SK3821-E
  仓库库存编号：2SK3821-E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 40A（Ta） 1.75W（Ta），45W（Tc） TO-220
  
  型号：2SK3823
  仓库库存编号：2SK3823-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 40A（Ta） 1.75W（Ta），60W（Tc） TO-220
  
  型号：2SK3827
  仓库库存编号：2SK3827-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 40A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Ta） 65W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0660DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0660DPA-00#J5A-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 40A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK2006DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK2006DPE-00#J3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 40A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
  
  型号：RJK2009DPM-00#T0
  仓库库存编号：RJK2009DPM-00#T0-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK5020DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK5020DPK-00#T0-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Ta） 3.6W（Ta），96W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH4213DTRPBF
  仓库库存编号：IRFH4213DTRPBFCT-ND
  别名：IRFH4213DTRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A（Ta）,
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