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• Infineon Technologies
  JFET N-CHAN 26A TO247-3
  详细描述：JFET N-Channel 26A 190W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IJW120R100T1FKSA1
  仓库库存编号：IJW120R100T1FKSA1-ND
  别名：SP000871656
  
  规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S402AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S402AKSA2-ND
  别名：SP001028774
  
  规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S403AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S403AKSA2-ND
  别名：SP001028768
  
  规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90N06S404AKSA2
  仓库库存编号：IPP90N06S404AKSA2-ND
  别名：SP001028750
  
  规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 50W（Tc）
  
  型号：IPD50N06S4L12ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S4L12ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N06S4L12ATMA1CT
  
  规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD04N60S5BTMA1-ND
  别名：SP000313946
  
  规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S2L03ATMA2
  仓库库存编号：IPB160N04S2L03ATMA2-ND
  别名：SP001058964
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 100V 23A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Ta），157A（Tc） 4W（Ta）, 195W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7182TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7182TRPBF-ND
  别名：SP001556394
  
  规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 10A（Ta），12A（Tc） 2W
  
  型号：62-0095PBF
  仓库库存编号：62-0095PBF-ND
  别名：SP001569182
  
  规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 2.5W
  
  型号：62-0136PBF
  仓库库存编号：62-0136PBF-ND
  别名：SP001562150
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD60R380E6BTMA1-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K4C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K4C6BKMA1-ND
  
  规格：FET 类型 N 沟道,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380E6ATMA2
  仓库库存编号：IPD60R380E6ATMA2-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 160A（Tc） 230W（Tc）
  
  型号：64-0055PBF
  仓库库存编号：64-0055PBF-ND
  别名：SP001553580
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 11A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11A（Ta），35A（Tc） 3.6W（Ta），39W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7194TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7194TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7194TRPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS040N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS040N03LGAKMA1-ND
  别名：SP000810846
  
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