规格:FET 类型 N 沟道,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),79A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5304TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5304TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5304TR2PBFCT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRLH5030TR2PBF
仓库库存编号:
IRLH5030TR2PBFCT-ND
别名:IRLH5030TR2PBFCT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 45A(Tc) 103W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7524-55,127
仓库库存编号:
BUK7524-55,127-ND
别名:934045180127
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 34A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9535-55,127
仓库库存编号:
BUK9535-55,127-ND
别名:934050420127
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 79W(Tc) DPAK
型号:
PHD18NQ10T,118
仓库库存编号:
PHD18NQ10T,118-ND
别名:934055700118
规格:FET 类型 N 沟道,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) TO-220AB
型号:
PHP45NQ10TA,127
仓库库存编号:
PHP45NQ10TA,127-ND
别名:934059957127
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 166W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7628-100A/C,118
仓库库存编号:
BUK7628-100A/C,118-ND
别名:934060683118
规格:FET 类型 N 沟道,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 33A(Tc) 114W(Tc) DPAK
型号:
BUK9240-100A/C1,11
仓库库存编号:
BUK9240-100A/C1,11-ND
别名:934061623118
规格:FET 类型 N 沟道,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 32A(Tc) 77W(Tc) DPAK
型号:
BUK9237-55A/C1,118
仓库库存编号:
BUK9237-55A/C1,118-ND
别名:934061634118
规格:FET 类型 N 沟道,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 48A(Tc) 103W(Tc) DPAK
型号:
BUK9222-55A/C1,118
仓库库存编号:
BUK9222-55A/C1,118-ND
别名:934061635118
规格:FET 类型 N 沟道,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK7210-55B/C1,118
仓库库存编号:
BUK7210-55B/C1,118-ND
别名:934062108118
规格:FET 类型 N 沟道,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH4530AL,115
仓库库存编号:
PH4530AL,115-ND
别名:934063198115
规格:FET 类型 N 沟道,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 300mA(Ta) 250mW(Ta) DFN1006-3
型号:
2N7002PM,315
仓库库存编号:
2N7002PM,315-ND
别名:934064133315
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),174A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB019N03LX G
仓库库存编号:
BSB019N03LX G-ND
别名:SP000597826
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),145A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB024N03LX G
仓库库存编号:
BSB024N03LX G-ND
别名:SP000597838
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta),71A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB053N03LP G
仓库库存编号:
BSB053N03LP G-ND
别名:SP000597830
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),71A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF053N03LT G
仓库库存编号:
BSF053N03LT G-ND
别名:SP000597832
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),53A(Tc) 2.2W(Ta),36W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF083N03LQ G
仓库库存编号:
BSF083N03LQ G-ND
别名:SP000597834
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS127H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS127H6327XTSA1-ND
别名:BSS127 H6327
BSS127 H6327-ND
SP000705718
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS159NH6327XTSA1-ND
别名:BSS159N H6327
BSS159N H6327-ND
SP000639076
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.3A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS806NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS806NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS806N L6327
BSS806N L6327-ND
SP000464848
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS816NW L6327
仓库库存编号:
BSS816NW L6327-ND
别名:SP000464852
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S402ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-02
IPB120N06S4-02-ND
SP000415560
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S403ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03-ND
SP000415558
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N06S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
别名:IPB120N06S4-H1
IPB120N06S4-H1-ND
SP000396274
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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