规格:FET 类型 N 沟道,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC039N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC039N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC039N06NS
BSC039N06NS-ND
BSC039N06NSATMA1CT
BSC039N06NSCT-ND
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD6N62K3
仓库库存编号:
497-8480-1-ND
别名:497-8480-1
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) SuperSO8
型号:
BSC014N04LS
仓库库存编号:
BSC014N04LSCT-ND
别名:BSC014N04LS-ND
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9629-100B,118
仓库库存编号:
1727-4716-1-ND
别名:1727-4716-1
568-5866-1
568-5866-1-ND
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9612-55B,118
仓库库存编号:
1727-4713-1-ND
别名:1727-4713-1
568-5863-1
568-5863-1-ND
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 3.2W(Ta),63W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19534Q5AT
仓库库存编号:
296-37838-1-ND
别名:296-37838-1
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R380C6ATMA1CT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4490DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4490DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4490DY-T1-E3CT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 349W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN0R9-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1858-1-ND
别名:1727-1858-1
568-11554-1
568-11554-1-ND
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 137W(Tc) D2PAK
型号:
BUK965R4-40E,118
仓库库存编号:
1727-7262-1-ND
别名:1727-7262-1
568-9891-1
568-9891-1-ND
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Ta) 107W(Tc) DPAK+
型号:
TK65S04N1L,LQ
仓库库存编号:
TK65S04N1LLQCT-ND
别名:TK65S04N1LLQCT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),171A(Tc) 950mW(Ta),96.2W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4897NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4897NFT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4897NFT1GOSCT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 20A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),105A(Tc) 1.9W(Ta),176W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB240L
仓库库存编号:
785-1324-1-ND
别名:785-1324-1
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD068N10N3GATMA1CT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N06L3 G
仓库库存编号:
IPD031N06L3 GCT-ND
别名:IPD031N06L3 GCT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.7A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6614TRPBF
仓库库存编号:
IRF6614TRPBFCT-ND
别名:IRF6614TRPBFCT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta) 78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2900ENH,L1Q
仓库库存编号:
TPH2900ENHL1QCT-ND
别名:TPH2900ENHL1QCT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB130N6F7
仓库库存编号:
497-15895-1-ND
别名:497-15895-1
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 100W(Tc) DPAK+
型号:
TK100S04N1L,LQ
仓库库存编号:
TK100S04N1LLQCT-ND
别名:TK100S04N1LLQCT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7434DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7434DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7434DP-T1-E3CT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ24PBF
仓库库存编号:
IRLZ24PBF-ND
别名:*IRLZ24PBF
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 131W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP50N06
仓库库存编号:
RFP50N06-ND
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R190P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R190P6ATMA1CT-ND
别名:IPB60R190P6ATMA1CT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 136W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ480E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ480E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ480E-T1_GE3CT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC026N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC026N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC026N08NS5ATMA1CT
规格:FET 类型 N 沟道,
无铅
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